[发明专利]碳掺杂氮化碳薄膜电极的制备方法

权利要求书

1.一种碳掺杂氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、以三聚氰胺、三聚氰酸和巴比妥酸为原料制备碳掺杂氮化碳；

S2、将步骤S1所得碳掺杂氮化碳溶解，涂覆于预处理后的二氧化锡透明导电玻璃上，置于140～150℃的温度下烘烤后得碳掺杂氮化碳薄膜电极；

所述步骤S1具体为：

S1-1、将三聚氰胺、三聚氰酸和巴比妥酸研磨，溶解于溶剂Ⅰ中，搅拌，干燥后得前驱体；

S1-2、将步骤S1-1所得前驱体进行煅烧，研磨后得碳掺杂氮化碳；

所述三聚氰胺、三聚氰酸和巴比妥酸的质量比为1∶1∶0.1～0.2；

所述步骤S2具体为：

S2-1、将步骤S1所得碳掺杂氮化碳溶解于溶剂Ⅱ中，超声后得电极溶液；

S2-2、将步骤S2-1所得电极溶液旋涂于预处理后的二氧化锡透明导电玻璃上，得湿膜；所述旋涂的转速为3800～4000r/min，旋涂的时间为40～60s；

S2-3、将步骤S2-2所得湿膜烘烤后得碳掺杂氮化碳薄膜电极；

所述溶剂Ⅱ为乙醇、聚乙烯醇和全氟磺酸中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂Ⅰ为水。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1-2中，所述煅烧过程具体为：以2～4℃/min的速率加热至400～550℃，煅烧3～6h。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2-1中，所述溶剂Ⅱ为乙醇、聚乙烯醇和全氟磺酸中的一种或多种；所述超声的频率为5～10kHz，超声的时间为3～5min。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2-2中，所述预处理过程具体为：将二氧化锡透明导电玻璃依次用水、乙醇、丙酮各清洗2～3次。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2-3具体为：将湿膜置于140～150℃的温度下烘烤10min，得碳掺杂氮化碳薄膜电极。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括重复步骤S2-2和步骤S2-3，直至碳掺杂氮化碳薄膜电极的厚度达到预设值。