[发明专利]一种硅片镀镍银的工艺有效
申请号: | 201710615643.0 | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN109306481B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 梁效峰;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;王鹏;杨玉聪;韩义胜;王浩;尚杰;丁成 | 申请(专利权)人: | 天津环鑫科技发展有限公司 |
主分类号: | C23C18/34 | 分类号: | C23C18/34;C23C18/42;C23C18/18 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300380 天津市西青区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提供一种硅片镀镍银的工艺,包括预处理:硅片表面清洗,硅片表面原子活化;一次镀镍:在硅片表面镀一次镍;镍烧结:镍层与硅层相互结合;二次镀镍:在硅片表面镀二次镍;镀银;在硅片表面镀银。本发明的有益效果是二次镀镍可以有效地增加镍层与硅层的结合力,镀银有效的防止镍层氧化,镀镍银可以使硅片与焊膏结合力更强,采用硝酸银为镀银液,在生产、运输和储存过程中更加安全可靠,节约了生产成本,镀镍银工艺具有生产成本低,可靠性强,硅片的使用寿命长的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 镀镍银 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种硅片镀镍银的工艺,其特征在于:包括以下步骤:预处理:去除表面氧化层,使硅片表面原子活化;一次镀镍:在硅片表面镀一次镍;镍烧结:镍原子向硅片内部扩散,镍层与硅层相互结合;二次镀镍:在硅片表面镀二次镍;镀银;在硅片表面镀银。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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