[发明专利]一种硅片镀镍银的工艺有效
申请号: | 201710615643.0 | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN109306481B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 梁效峰;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;王鹏;杨玉聪;韩义胜;王浩;尚杰;丁成 | 申请(专利权)人: | 天津环鑫科技发展有限公司 |
主分类号: | C23C18/34 | 分类号: | C23C18/34;C23C18/42;C23C18/18 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300380 天津市西青区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 镀镍银 工艺 | ||
1.一种硅片镀镍银的工艺,其特征在于:包括以下步骤:
预处理:去除表面氧化层,使硅片表面原子活化;所述硅片表面清洗包括以下步骤:
超声溢流清洗:硅片在水槽中进行超声溢流清洗,去除硅片表面的污垢;
氢氟酸溶液清洗:氢氟酸溶液对硅片表面进行清洗,去除硅片表面氧化层;其中,所述氢氟酸溶液的浓度为2%-10%,所述清洗时间为10-30min;
纯水进行清洗,清除多余的氢氟酸溶液;
一次镀镍:在硅片表面镀一次镍;
所述一次镀镍步骤,是在PH值为7-10的碱性环境下,调节温度到60-100℃,将硅片浸泡于镀镍液中进行一次镀镍;
镍烧结:镍原子向硅片内部扩散,镍层与硅层相互结合;所述镍烧结步骤,在温度为500-650℃的温度下对硅片进行烧结,镍烧结时间为30-60min;
二次镀镍:在硅片表面镀二次镍;
所述二次镀镍是在PH值为7-10的碱性环境下,调节温度到60-100℃,将硅片浸泡于镀镍液中进行二次镀镍;其中,所述镀镍液为氯化镍或者硝酸镍;
镀银;在硅片表面镀银,所述镀银步骤,是在酸性条件下,温度调节到60-100℃,将硅片浸泡于镀银液中进行镀银;所述镍烧结步骤与所述二次镀镍步骤之间还包括:
硝酸清洗:用硝酸对硅片进行清洗,去除表面被高温氧化部分,所述硝酸的浓度为97%以上;
活化:用活化液浸泡硅片,使硅片表面原子活化,所述活化液为含有氯化金的活化液,浸泡时间为30~90s;
纯水清洗,清除多余的所述活化液。
2.根据权利要求1所述的一种硅片镀镍银的工艺,其特征在于:所述镀银液主要成分为硝酸银。
3.根据权利要求1所述的一种硅片镀镍银的工艺,其特征在于:所述二次镀镍步骤与所述镀银步骤之间还包括以下步骤:
盐酸清洗,清洗中和硅片表面碱性残留;
纯水清洗,清除多余的盐酸残留。
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C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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