[发明专利]一种等离子体设备的进气结构在审
| 申请号： | 201710615451.X | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107345294A | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 卢艳 | 申请（专利权）人： | 北京芯微诺达科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/02;C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所11569 | 代理人： | 王加贵 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体设备的进气结构，包括真空室，所述真空室的上部或下部连接有等离子体源，所述真空室的下部或上部设有用于放置工件的工作台；所述真空室的周向设有第一进气组和第二进气组，所述第一进气组通过管道连通有第一气源，所述第二进气组通过管道连通有第二气源；所述第一进气组和所述第二进气组均包括至少三个进气口，所述进气口在竖直平面内朝向不同的方向。本发明增加了进气方式的灵活性，更加方便针对基片的刻蚀或成膜要求调整进气方式。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 设备 结构 | ||
【主权项】：
一种等离子体设备的进气结构，其特征在于：包括真空室，所述真空室的上部或下部连接有等离子体源，所述真空室的下部或上部设有用于放置工件的工作台；所述真空室的周向设有第一进气组和第二进气组，所述第一进气组通过管道连通有第一气源，所述第二进气组通过管道连通有第二气源；所述第一进气组和所述第二进气组均包括至少三个进气口，所述进气口在竖直平面内朝向不同的方向。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
