[发明专利]一种等离子体设备的进气结构

说明书

技术领域

本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域，特别是涉及一种等离子体设备的进气结构。

背景技术

等离子体增强化学的气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称PECVD)是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，能够在基片上沉积出所期望的薄膜。

反应离子刻蚀(Reactive Ions Etch，简称RIE)是借助微波或射频等使含有刻蚀粒子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，最终刻蚀掉部分基片上的材料。

常规的等离子刻蚀或成膜设备均包括两个进气孔，两个进气孔分别用于向真空室内通入反应气体，但由于进气孔的出气方向固定，使得两种反应气体只能以固定的混合方式进气，无法实现对基片刻蚀或成膜性能的调整。且进气孔与真空室的压力和流量梯度较大，在射频加载后，启辉得到的等离子体均匀一致性难以保证。

发明内容

本发明的目的是提供一种等离子体设备的进气结构，以解决上述现有技术存在的问题，使反应气体可以有多种进气方式可供选择，以方便调整等离子对基片进行刻蚀或成膜的性能。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

本发明提供了一种等离子体设备的进气结构，包括真空室，所述真空室的上部或下部连接有等离子体源，所述真空室的下部或上部设有用于放置工件的工作台；所述真空室的周向设有第一进气组和第二进气组，所述第一进气组通过管道连通有第一气源，所述第二进气组通过管道连通有第二气源；所述第一进气组和所述第二进气组均包括至少三个进气口，所述进气口在竖直平面内朝向不同的方向。

优选地，所述第一进气组和所述第二进气组均包括三个所述进气口，三个所述进气口分别朝向斜上30°～60°、水平和斜下30°～60°设置。

优选地，三个所述进气口分别朝向斜上45°、水平和斜下45°设置。

优选地，所述第一进气组与所述第二进气组相对或同向设置。

优选地，所述第一进气组与所述第二进气组在水平面内的夹角为30°～150°。

优选地，每个所述进气口上均设有一匀气帽，所述匀气帽上阵列有若干个匀气孔。

优选地，每个所述进气口与所述第一气源或所述第二气源之间的管道上依次设有一开关阀，所述第一气源或所述第二气源与所述开关阀之间设有一集流阀。

优选地，所述开关阀为电动阀门，所有所述电动阀门均由一控制器控制启闭，所述控制器内预设有控制所述电动阀门启闭的程序。

优选地，还包括设置在所述真空室内部的测厚传感器，所述测厚传感器与所述控制器电连接，所述控制器能够根据所述测厚传感器反馈的检测数据分别控制所述电动阀门的启闭。

优选地，所述测厚传感器为激光测厚传感器或晶振测厚传感器。

本发明相对于现有技术取得了以下技术效果：本发明通过在真空室的四周设置进气组，并将进气组设置为至少有三个进气口，使第一气源和第二气源可以有多组的进气方案可供选择，增加了进气方式的灵活性，便于更加方便针对基片的刻蚀或成膜要求调整进气方式。在进气口上设置的匀气帽，可使气体的气流更分散，使两种气体更容易混合，增加了等离子体的均匀性，提高了刻蚀或成膜性能的一致性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明等离子体设备的进气结构的示意图；

其中：1-真空室，2-等离子体源，3-工作台，4-第一进气组，5-第二进气组，6-第一气源，7-第二气源，8-进气口，9-匀气帽，10-开关阀，11-集流阀，12-控制器，13-测厚传感器。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的目的是提供一种等离子体设备的进气结构，以解决上述现有技术存在的问题，使反应气体可以有多种进气方式可供选择，以方便调整等离子对基片进行刻蚀或成膜的性能。