[发明专利]一种等离子体设备的进气结构在审
申请号: | 201710615451.X | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN107345294A | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 卢艳 | 申请(专利权)人: | 北京芯微诺达科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/02;C23C16/50 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所11569 | 代理人: | 王加贵 |
地址: | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子体 设备 结构 | ||
1.一种等离子体设备的进气结构,其特征在于:包括真空室,所述真空室的上部或下部连接有等离子体源,所述真空室的下部或上部设有用于放置工件的工作台;所述真空室的周向设有第一进气组和第二进气组,所述第一进气组通过管道连通有第一气源,所述第二进气组通过管道连通有第二气源;所述第一进气组和所述第二进气组均包括至少三个进气口,所述进气口在竖直平面内朝向不同的方向。
2.根据权利要求1所述的等离子体设备的进气结构,其特征在于:所述第一进气组和所述第二进气组均包括三个所述进气口,三个所述进气口分别朝向斜上30°~60°、水平和斜下30°~60°设置。
3.根据权利要求2所述的等离子体设备的进气结构,其特征在于:三个所述进气口分别朝向斜上45°、水平和斜下45°设置。
4.根据权利要求1所述的等离子体设备的进气结构,其特征在于:所述第一进气组与所述第二进气组相对或同向设置。
5.根据权利要求1所述的等离子体设备的进气结构,其特征在于:所述第一进气组与所述第二进气组在水平面内的夹角为30°~150°。
6.根据权利要求1所述的等离子体设备的进气结构,其特征在于:每个所述进气口上均设有一匀气帽,所述匀气帽上阵列有若干个匀气孔。
7.根据权利要求1所述的等离子体设备的进气结构,其特征在于:每个所述进气口与所述第一气源或所述第二气源之间的管道上依次设有一开关阀,所述第一气源或所述第二气源与所述开关阀之间设有一集流阀。
8.根据权利要求7所述的等离子体设备的进气结构,其特征在于:所述开关阀为电动阀门,所有所述电动阀门均由一控制器控制启闭,所述控制器内预设有控制所述电动阀门启闭的程序。
9.根据权利要求8所述的等离子体设备的进气结构,其特征在于:还包括设置在所述真空室内部的测厚传感器,所述测厚传感器与所述控制器电连接,所述控制器能够根据所述测厚传感器反馈的检测数据分别控制所述电动阀门的启闭。
10.根据权利要求9所述的等离子体设备的进气结构,其特征在于:所述测厚传感器为激光测厚传感器或晶振测厚传感器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京芯微诺达科技有限公司,未经北京芯微诺达科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710615451.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种成膜设备
- 下一篇:一种钢铁低温磷化工艺
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的