[发明专利]一种基于剥离工艺的硅基发光器件的电极制备方法在审
| 申请号： | 201710613516.7 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107275455A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 季渊;沈伟星 | 申请（专利权）人： | 南京迈智芯微光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L51/52;H01L27/15;H01L27/32 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 210006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于剥离工艺的硅基发光器件的电极制备方法，涉及发光器件制造领域，包括以下步骤在硅衬底上铺设隔离材料层，如光致抗蚀剂或氧化硅或氮化硅或其混合物，利用掩膜版刻蚀出电极所在区域，所述硅衬底中包含驱动电路，驱动电路包含金属氧化物半导体场效应晶体管；在具有镂空的第一隔离材料的硅衬底上沉积下电极材料，且露出第一隔离材料侧面；下电极包含第一接触层、光反射层和/或第二接触层；采用干法或湿法去除第一隔离材料以及覆盖其上的下电极材料，形成单个独立的下电极；在平整的单个独立的所述下电极上制作发光材料和上电极材料。本发明所述的电极制备方法将剥离工艺与传统的成膜工艺相结合，降低生产成本，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 剥离 工艺 发光 器件 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于剥离工艺的硅基发光器件的电极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在单晶硅衬底上铺设隔离材料层，利用掩膜版刻蚀出下电极所在区域，所述硅衬底中包含驱动电路，所述驱动电路包含金属氧化物半导体场效应晶体管；在具有镂空的第一隔离材料的硅衬底上沉积下电极材料，且露出第一隔离材料的侧面；采用干法或湿法去除第一隔离材料以及覆盖其上的下电极材料，形成单个独立的下电极；在平整的单个独立的所述下电极上制作发光材料和上电极材料，所述发光材料为有机材料或无机材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京迈智芯微光电科技有限公司，未经南京迈智芯微光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710613516.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
