[发明专利]一种基于剥离工艺的硅基发光器件的电极制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光器件制造领域，尤其涉及一种基于剥离工艺的硅基发光器件的电极制备方法。

背景技术

现有技术中的发光器件的电极制备方法多采用PVD成膜加上干法或湿法刻蚀出单独的电极结构，如授权公告号为CN101459226B，发明名称为“顶部发光有机显示器的阳极结构及其制造工艺”公开了在硅衬底上用PVD的方法镀膜形成阳极电机的方法，但是采用镀膜法形成电极需要多套掩膜版，生产成本很高，且多套掩膜版之间需解决垂直对准的技术问题。剥离工艺是一种通过牺牲材料在基底表面上建立目标材料结构的常用方法。

因此，本领域的技术人员致力于开发一种基于剥离工艺的硅基发光器件的电极制备方法，将剥离工艺与传统的成膜工艺相结合，降低生产成本，提高产品良率。

发明内容

有鉴于现有技术的上述缺陷，本发明所要解决的技术问题是将剥离工艺与传统的成膜工艺相结合，降低生产成本，提高产品良率。

为实现上述目的，本发明提供了一种基于剥离工艺的硅基发光器件的电极制备方法，包括以下步骤：

在单晶硅衬底上铺设隔离材料层，利用掩膜版刻蚀出下电极所在区域，所述硅衬底中包含驱动电路，所述驱动电路包含金属氧化物半导体场效应晶体管；

在具有镂空的第一隔离材料的硅衬底上沉积下电极材料，且露出第一隔离材料的侧面；

采用干法或湿法去除第一隔离材料以及覆盖其上的下电极材料，形成单个独立的下电极；

在平整的单个独立的所述下电极上制作发光材料和上电极材料，所述发光材料为有机材料或无机材料。

进一步地，还包含在所述下电极间填充第二隔离材料，直至填平下电极间的空隙的步骤。

进一步地，所述第一隔离材料和第二隔离材料为光致抗蚀剂、氧化硅、氮化硅中的一种或其混合物。

进一步地，所述第一隔离材料层呈正梯形状或倒梯形状。

进一步地，所述下电极材料的边沿形成弧形或台阶形或斜边形。

进一步地，还包括使所述下电极清洁和平坦化的步骤。

进一步地，所述下电极包含用于和硅衬底接触的第一接触层，所述第一接触层的材料为Cr、Ti、Ta、Ni、ITO、ZnO_x单质或其任意比例的混合物。

进一步地，所述下电极包含用于反射发光材料发射出光的光反射层，所述光反射层的材料为Al、Ag金属单质或其任意比例的混合物。

进一步地，所述下电极包含用于改善下电极和所述发光材料触性能的第二接触层，所述第二接触层为ITO、GaInO、GaInSnO、ZnInO、ZnInSnO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrO_x、VO_x、MoO_x、AlO_x、ZnO_x、SnO_x、MoN、TiN_x、TiSi_xN_y、WSi_x、WN_x、WSi_xT_y、TaN_x、TaSi_xN_y、SiO_x、SiN_x、SiC、C₆₀单质或其任意比例的混合物。

进一步地，还包含在上电极上制作至少一层薄膜封装材料，所述薄膜封装材料用于隔离水和氧。

进一步地，所述金属氧化物半导体场效应晶体管用于产生微电流以驱动所述发光材料发光，或者产生电压以驱动所述发光材料发光。

本发明所述的基于剥离工艺的硅基发光器件的电极制备方法，先将隔离物设置在硅衬底上，然后逐层沉积形成电极的所需材料，最后将隔离物去除便得到了彼此分离的单个电极，这样的电极制备方法后端工艺中只需在少数两层掩膜版便可形成独立电极结构，比直接或独立制作下电极图案的方案大大降低了生产成本，也因剥离工艺无需在多层电极材料之间对准，可以提高产品良率。

以下将结合附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明，以充分地了解本发明的目的、特征和效果。

附图说明

图1是本发明的一个较佳实施例的电极制备方法的流程图；

图2(a)是本发明的另一个较佳实施例的电极制备方法的流程图；

图2(b)是本发明的一个较佳实施例中第二隔离材料23的侧剖图；