[发明专利]一种基于剥离工艺的硅基发光器件的电极制备方法

权利要求书

1.一种基于剥离工艺的硅基发光器件的电极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在单晶硅衬底上铺设隔离材料层，利用掩膜版刻蚀出下电极所在区域，所述硅衬底中包含驱动电路，所述驱动电路包含金属氧化物半导体场效应晶体管；

在具有镂空的第一隔离材料的硅衬底上沉积下电极材料，且露出第一隔离材料的侧面；

采用干法或湿法去除第一隔离材料以及覆盖其上的下电极材料，形成单个独立的下电极；

在平整的单个独立的所述下电极上制作发光材料和上电极材料，所述发光材料为有机材料或无机材料。

2.如权利要求1所述的电极制备方法，其特征在于，还包含在所述下电极间填充第二隔离材料，直至填平下电极间的空隙的步骤。

3.如权利要求1或2所述的电极制备方法，其特征在于，所述第一隔离材料和第二隔离材料为光致抗蚀剂、氧化硅、氮化硅中的一种或其混合物。

4.如权利要求1或2所述的电极制备方法，其特征在于，所述第一隔离材料层呈正梯形状或倒梯形状。

5.如权利要求1或2所述的电极制备方法，所述下电极材料的边沿形成弧形或台阶形或斜边形。

6.如权利要求1或2所述的电极制备方法，其特征在于，还包括使所述下电极清洁和平坦化的步骤。

7.如权利要求1或2所述的电极制备方法，其特征在于，所述下电极包含用于和硅衬底接触的第一接触层，所述第一接触层的材料为Cr、Ti、Ta、Ni、ITO、ZnO_x单质或其任意比例的混合物。

8.如权利要求1或2所述的电极制备方法，其特征在于，所述下电极包含用于反射发光材料发射出光的光反射层，所述光反射层的材料为Al、Ag金属单质或其任意比例的混合物。

9.如权利要求1或2所述的电极制备方法，其特征在于，所述下电极包含用于改善下电极和所述发光材料触性能的第二接触层，所述第二接触层为ITO、GaInO、GaInSnO、ZnInO、ZnInSnO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrO_x、VO_x、MoO_x、AlO_x、ZnO_x、MoN、TiN_x、TiSi_xN_y、WSi_x、WN_x、WSi_xT_y、TaN_x、TaSi_xN_y、SiO_x、SiN_x、SiC、C₆₀单质或其任意比例的混合物。

10.如权利要求1或2所述的电极制备方法，其特征在于，还包含在上电极上制作至少一层薄膜封装材料，所述薄膜封装材料用于隔离水和氧。