[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710610887.X | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107818962B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 郑锡圭;韩至刚;张兢夫;黄信杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。特别的，本发明实施例的一种半导体结构包含：衬底；裸片，其放置在所述衬底上方且包含裸片垫、放置在所述裸片垫上方的导电通路及环绕所述导电通路的介电材料；模塑物，其放置在所述衬底上方且环绕所述裸片；下部介电层，其较接近所述衬底而放置且放置在所述介电材料及所述模塑物上方；及上部介电层，其较远离所述衬底而放置且放置在所述下部介电层上方，其中所述上部介电层中的材料含量比率实质上大于所述下部介电层中的材料含量比率，且所述材料含量比率实质上反向影响所述上部介电层及所述下部介电层的机械强度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其包括：衬底；裸片，其放置在所述衬底上方且包含裸片垫、放置在所述裸片垫上方的导电通路及环绕所述导电通路的介电材料；模塑物，其放置在所述衬底上方且环绕所述裸片；下部介电层，其较接近所述衬底而放置且放置在所述介电材料及所述模塑物上方；及上部介电层，其较远离所述衬底而放置且放置在所述下部介电层上方，其中所述上部介电层中的材料含量比率实质上大于所述下部介电层中的材料含量比率，且所述材料含量比率实质上反向影响所述上部介电层及所述下部介电层的机械强度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710610887.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
