[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。特别的，本发明实施例的一种半导体结构包含：衬底；裸片，其放置在所述衬底上方且包含裸片垫、放置在所述裸片垫上方的导电通路及环绕所述导电通路的介电材料；模塑物，其放置在所述衬底上方且环绕所述裸片；下部介电层，其较接近所述衬底而放置且放置在所述介电材料及所述模塑物上方；及上部介电层，其较远离所述衬底而放置且放置在所述下部介电层上方，其中所述上部介电层中的材料含量比率实质上大于所述下部介电层中的材料含量比率，且所述材料含量比率实质上反向影响所述上部介电层及所述下部介电层的机械强度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

使用半导体装置的电子装备对于诸多现代应用是必不可少的。随着电子技术的发展，半导体装置的大小日益变小，同时具有更强大的功能性及更多的集成电路。由于半导体装置的小型化规模，因此一晶片级封装(WLP)因其低成本及相对简单的制造操作而被广泛使用。在WLP操作期间，若干半导体组件被装配在半导体装置上。此外，众多制造操作是在此一小半导体装置内实施。

然而，半导体装置的制造操作涉及在此一小且薄的半导体装置上进行的诸多步骤及操作。呈一小型化规模的半导体装置的制造变得愈来愈复杂。制造半导体装置的一复杂性的一增加可产生诸如不良电互连、产生破裂、组件分层、组件的不准确安放或其它问题等若干缺陷，从而导致半导体装置的一高成出率损失。半导体装置经生产呈不期望配置，此将进一步加剧材料损耗且因此增加制造成本。因此，修改半导体装置的一结构及改进制造操作存在诸多挑战。

半导体装置装配有包含具有不同热性质的各种材料的若干经集成组件。由于涉及较多具有不同材料的不同组件，因此增加了半导体装置的制造操作的一复杂性。因此，需要不断改进半导体的制造并解决上述缺陷。

发明内容

在本揭露中，揭露一种具有改进的半导体结构。所述半导体结构包含彼此上下放置的数个介电层。毗邻于裸片的介电层与其它介电层相比被固化达较长时间段，且因此毗邻于所述裸片的所述介电层中的氧或氮少于其它介电层。因此，毗邻于所述裸片的所述介电层的机械强度大于其它介电层，且毗邻于所述裸片的所述介电层可抵制由组件之间的CTE不匹配导致的应力。因此，翘曲或破裂的产生可被最小化或被避免。

在某些实施例中，一种半导体结构包含：衬底；裸片，其放置在所述衬底上方且包含裸片垫、放置在所述裸片垫上方的导电通路及环绕所述导电通路的介电材料；模塑物，其放置在所述衬底上方且环绕所述裸片；下部介电层，其较接近所述衬底而放置且放置在所述介电材料及所述模塑物上方；及上部介电层，其较远离所述衬底而放置且放置在所述下部介电层上方，其中所述上部介电层中的材料含量比率实质上大于所述下部介电层中的材料含量比率，且所述材料含量比率实质上反向影响所述上部介电层及所述下部介电层的机械强度。

在某些实施例中，所述材料含量比率包含氧含量比率或氮含量比率中的至少一者。在某些实施例中，所述下部介电层的氧含量比率实质上小于所述下部介电层中的总成分的约10％，或所述下部介电层的氮含量比率实质上小于所述下部介电层中的总成分的约20％。在某些实施例中，所述上部介电层的氧含量比率大于所述上部介电层中的总成分的约10％，或所述上部介电层的氮含量比率大于所述上部介电层中的总成分的约20％。在某些实施例中，所述下部介电层及所述上部介电层包含相同材料。在某些实施例中，所述介电材料包含与所述下部介电层及所述上部介电层不同的材料。在某些实施例中，所述下部介电层及所述上部介电层包含聚酰亚胺(PI)。在某些实施例中，所述介电材料包含聚苯并恶唑(PBO)。在某些实施例中，所述上部介电层的厚度实质上大于所述下部介电层的厚度。在某些实施例中，所述介电材料由所述模塑物环绕。