[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

衬底；

裸片，其安置在所述衬底上方且包含裸片垫、安置在所述裸片垫上方的导电通路以及环绕所述导电通路的介电材料；

模塑物，其安置在所述衬底上方且环绕所述裸片；

下部介电层，其安置在所述介电材料和所述模塑物上方；以及

上部介电层，其安置在所述下部介电层上方，

其中所述上部介电层中的材料含量比率实质上大于所述下部介电层中的材料含量比率，且所述材料含量比率实质上反向影响所述上部介电层和所述下部介电层的机械强度，其中所述材料含量比率包含氧含量比率或氮含量比率中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述下部介电层的所述氧含量比率实质上小于所述下部介电层中总含量的10％，或所述下部介电层的所述氮含量比率实质上小于所述下部介电层中总含量的20％。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述上部介电层的所述氧含量比率大于所述上部介电层中总含量的10％，或所述上部介电层的所述氮含量比率大于所述上部介电层中总含量的20％。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述下部介电层与所述上部介电层的材料相同。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述介电材料的材料与所述下部介电层和所述上部介电层的材料不同。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述下部介电层和所述上部介电层包含聚酰亚胺PI。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述介电材料包含聚苯并恶唑PBO。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述上部介电层的厚度实质上大于所述下部介电层的厚度。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述介电材料被所述模塑物环绕。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包括：

第一导电迹线，其安置在所述下部介电层中并被所述上部介电层环绕；和

第二导电迹线，其安置在所述上部介电层中，其中所述第二导电迹线电连接到所述第一导电迹线。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其进一步包括：

顶部介电层，其安置在所述上部介电层上方，且所述顶部介电层暴露所述第二导电迹线的至少一部分；

至少一个凸块垫，其安置在所述顶部介电层和所述第二导电迹线上方；以及

至少一个导电凸块，其安置在所述凸块垫上方。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中所述顶部介电层中的材料含量比率实质上大于所述上部介电层中的材料含量比率。

13.一种半导体结构，其包括：

衬底；

裸片，其安置在所述衬底上方；

模塑物，其安置在所述衬底上方且环绕所述裸片；

下部介电层，其安置在所述裸片和所述模塑物上方；

中间介电层，其安置在所述下部介电层上方；以及

上部介电层，其安置在所述中间介电层和所述上部介电层上方，

其中所述上部介电层中的材料含量比率实质上大于所述下部介电层和所述中间介电层中的材料含量比率，且所述上部介电层的厚度实质上大于所述下部介电层的厚度，其中所述材料含量比率包含氧含量比率或氮含量比率中的至少一个。

14.根据权利要求13所述的半导体结构，其中所述中间介电层的所述氧含量比率实质上大于所述下部介电层的所述氧含量比率，或所述中间介电层的所述氮含量比率实质上大于所述下部介电层的所述氮含量比率。