[发明专利]一种发光二极管芯片结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710610317.0 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107507894B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 邓有财;冯岩;杨硕;张中英;邱树添 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片结构及其制作方法，包括：第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，芯片表面具有第一导电类型半导体层台阶，芯片表面还覆盖有钝化层、透明电流扩展层，台阶的侧壁为斜面，第二导电类型半导体层的上表面靠近台阶的区域覆盖有钝化层；除了覆盖有钝化层的区域之外，其他第二导电类型半导体层的上表面部分或者全部覆盖有透明电流扩展层，透明电流扩展层的下表面分别与第二导电类型半导体层的上表面以及钝化层上表面接触，第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的折射率大于钝化层的折射率大于透明电流扩展层的折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片结构，依次包括：第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层，还包括透明电流扩展层和钝化层，发光二极管具有相邻的由第一导电类型半导体层构成的第一台阶面和由第二导电类型半导体层构成的第二台阶面，第一台阶面和第二台阶面之间具有侧壁，透明电流扩展层与第二台阶面接触，其特征在于，所述侧壁上覆盖有钝化层，所述侧壁上的钝化层与透明电流扩展层接触，透明电流扩展层超出第二台阶面边缘并覆盖在所述侧壁上的钝化层上，所述透明电流扩展层选用的材料折射率小于钝化层的折射率小于第一导电类型半导体层或第二导电类型半导体层或发光层的折射率。
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