[发明专利]一种发光二极管芯片结构及其制作方法

说明书

本发明公开了一种发光二极管芯片结构及其制作方法，包括：第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，芯片表面具有第一导电类型半导体层台阶，芯片表面还覆盖有钝化层、透明电流扩展层，台阶的侧壁为斜面，第二导电类型半导体层的上表面靠近台阶的区域覆盖有钝化层；除了覆盖有钝化层的区域之外，其他第二导电类型半导体层的上表面部分或者全部覆盖有透明电流扩展层，透明电流扩展层的下表面分别与第二导电类型半导体层的上表面以及钝化层上表面接触，第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的折射率大于钝化层的折射率大于透明电流扩展层的折射率。

技术领域

本发明属于半导体照明领域，具体涉及一种发光二极管芯片结构及其制作方法。

背景技术

常规ITO层（Indium Tin Oxides透明电流扩展层）被PV层（Passivation钝化层）和第二导电类型半导体层包裹，ITO材料容易泄露到侧壁上，导致发光二极管漏电。

发明内容

本发明提供了一种发光二极管芯片结构，依次包括：第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层，还包括透明电流扩展层和钝化层，发光二极管具有相邻的由第一导电类型半导体层构成的第一台阶面和由第二导电类型半导体层构成的第二台阶面，第一台阶面和第二台阶面之间具有侧壁，透明电流扩展层与第二台阶面接触，与第二台阶面接触的透明电流扩展层距离第二台阶面边缘的距离不大于5μm，或者透明电流扩展层超出第二台阶面边缘，透明电流扩展层不与发光层或者第一导电类型半导体层接触，所述侧壁上覆盖有钝化层。

优选地，所述侧壁为倾斜的。

优选地，所述侧壁与竖直方向的倾斜角度为5°~15°。

优选地，所述钝化层与透明电流扩展层接触，透明电流扩展层覆盖在钝化层之上。

优选地，所述透明电流扩展层覆盖区域最少包括钝化层对应发光层的位置。

优选地，与第二台阶面接触的透明电流扩展层距离第二台阶面边缘的距离不大于2μm。

优选地，所述透明电流扩展层的厚度为10nm~200nm。

优选地，所述钝化层的厚度为0.1nm~250nm。

优选地，所述透明电流扩展层选用的材料折射率小于钝化层的折射率小于第一导电类型半导体层或第二导电类型半导体层或发光层的折射率。

优选地，所述覆盖在钝化层之上的透明电流扩展层离散分布。

优选地，透明电流扩展层包括脊状结构。

优选地，所述脊状结构具有导光的能力。

优选地，所述脊状结构相互间距离为100nm~1000nm。

优选地，所述脊状结构的横截面为三角形或弧形或梯形或方形。

优选地，所述第一台阶面属于非电极窗口。优选地，所述透明电流扩展层的材料包括ITO或者ZnO，所述钝化层的材料包括SiO₂、ALN,或者AL₂O₃。

本发明还提供了一种发光二极管芯片制作方法，用于制作芯片表面的透明电流扩展层和钝化层，包括制作步骤：

步骤1、提供外延片，外延片依次包括第一导电类型半导体层、发光层、第二导电类型半导体层；

步骤2、在第二导电类型半导体层上通过制作芯片图形，制作出由第一导电类型半导体层构成的第一台阶面和由第二导电类型半导体层构成的第二台阶面，其中在第一台阶面和第二台阶面之间制作出侧壁；

步骤3、在所述侧壁上堆叠钝化层，所述钝化层与第二台阶面接触部分到第二台阶面边缘的距离不大于2μm，或者钝化层不与第二台阶面接触；