[发明专利]一种发光二极管芯片结构及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片结构，依次包括：第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层，还包括透明电流扩展层和钝化层，发光二极管具有相邻的由第一导电类型半导体层构成的第一台阶面和由第二导电类型半导体层构成的第二台阶面，第一台阶面和第二台阶面之间具有侧壁，透明电流扩展层与第二台阶面接触，其特征在于，所述侧壁上覆盖有钝化层，所述侧壁上的钝化层与透明电流扩展层接触，透明电流扩展层超出第二台阶面边缘并覆盖在所述侧壁上的钝化层上，所述透明电流扩展层选用的材料折射率小于钝化层的折射率小于第一导电类型半导体层或第二导电类型半导体层或发光层的折射率。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片结构，其特征在于：所述侧壁为倾斜的。

3.根据权利要求2所述的一种发光二极管芯片结构，其特征在于：侧壁与竖直方向的倾斜角度为5°~15°。

4.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片结构，其特征在于：与第二台阶面接触的透明电流扩展层距离第二台阶面边缘的距离不大于5μm。

5.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片结构，其特征在于：所述透明电流扩展层覆盖区域最少包括钝化层对应发光层的位置。

6.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片结构，其特征在于：所述钝化层与第二台阶面接触，与第二台阶面接触部分的钝化层到第二台阶面边缘的距离不大于2μm。

7.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片结构，其特征在于：与第二台阶面接触的透明电流扩展层距离第二台阶边缘的距离不大于2μm。

8.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片结构，其特征在于：所述透明电流扩展层的厚度为10nm~200nm。

9.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片结构，其特征在于：所述钝化层的厚度为0.1nm~250nm。

10.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片结构，其特征在于：所述覆盖在钝化层之上的透明电流扩展层离散分布。

11.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片结构，其特征在于：透明电流扩展层包括脊状结构。

12.根据权利要求11所述的一种发光二极管芯片结构，其特征在于：所述脊状结构具有导光的能力。

13.根据权利要求11所述的一种发光二极管芯片结构，其特征在于：所述脊状结构相互间距离为100nm~1000nm。

14.根据权利要求13所述的一种发光二极管芯片结构，其特征在于：所述脊状结构的横截面为三角形或弧形或梯形或方形。

15.根据权利要求4所述的一种发光二极管芯片结构，其特征在于：所述第一台阶面属于非电极窗口。

16.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片结构，其特征在于：所述透明电流扩展层的材料包括ITO或者ZnO ，所述钝化层的材料包括ALN。