[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质有效
| 申请号： | 201710608317.7 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107658210B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 中谷公彦;芦原洋司;柄泽元;原田和宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。通过将下述循环重复多次，使第一原料与第二原料间歇地反应，从而在衬底上形成膜的工序，循环交替进行下述工序：对衬底供给第一原料的工序，第一原料满足八隅体规则且具有第一热分解温度；和对衬底供给第二原料的工序，第二原料不满足八隅体规则且具有比第一热分解温度低的第二热分解温度，在形成膜的工序中，使第一原料的供给量多于第二原料的供给量。通过本发明，能够提高在衬底上形成的膜的阶梯被覆性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 记录 介质 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，具有通过将下述循环重复多次，使第一原料与第二原料间歇地反应，从而在衬底上形成膜的工序，所述循环交替进行下述工序：对衬底供给所述第一原料的工序，所述第一原料满足八隅体规则且具有第一热分解温度；和对所述衬底供给第二原料的工序，所述第二原料不满足八隅体规则且具有比所述第一热分解温度低的第二热分解温度，在形成所述膜的工序中，使所述第一原料的供给量多于所述第二原料的供给量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社国际电气，未经株式会社国际电气许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710608317.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种灯泡旋紧安装装置
- 下一篇：一种半导体晶片的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
