[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

说明书

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。通过将下述循环重复多次，使第一原料与第二原料间歇地反应，从而在衬底上形成膜的工序，循环交替进行下述工序：对衬底供给第一原料的工序，第一原料满足八隅体规则且具有第一热分解温度；和对衬底供给第二原料的工序，第二原料不满足八隅体规则且具有比第一热分解温度低的第二热分解温度，在形成膜的工序中，使第一原料的供给量多于第二原料的供给量。通过本发明，能够提高在衬底上形成的膜的阶梯被覆性。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

背景技术

作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行下述处理：对衬底供给多种原料并使它们反应，从而在衬底上形成膜(例如，参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-186275号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于提供能够提高在衬底上形成的膜的阶梯被覆性的技术。

用于解决问题的手段

根据本发明的一个方式，提供一种技术，所述技术具有通过将下述循环重复多次，使第一原料与第二原料间歇地反应，从而在衬底上形成膜的工序，所述循环交替进行下述工序：对衬底供给所述第一原料的工序，所述第一原料满足八隅体规则且具有第一热分解温度；和对所述衬底供给第二原料的工序，所述第二原料不满足八隅体规则且具有比所述第一热分解温度低的第二热分解温度，其中，在形成所述膜的工序中，使所述第一原料的供给量多于所述第二原料的供给量。

发明效果

通过本发明，能够提高在衬底上形成的膜的阶梯被覆性。

附图说明

图1是本发明的一种实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是用纵剖面图表示处理炉部分的图。

图2是本发明的一种实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是用图1的A-A线剖面图表示处理炉部分的图。

图3是本发明的一种实施方式中优选使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，是用框图表示控制器的控制系统的图。

图4中(a)是表示本发明的一种实施方式的成膜顺序的图，(b)是表示其变形例的图。

图5中(a)(b)分别是实施成膜处理后的衬底的剖面放大图。

图6中(a)是表示与原料气体的热分解特性相关的评价结果的图，(b)是表示与原料气体的供给比率与阶梯被覆性间的关系相关的评价结果的图。

附图标记说明

200晶片(衬底)

201处理室

具体实施方式

本发明的一种实施方式

以下，使用图1～图3对本发明的一个实施方案进行说明。

(1)衬底处理装置的构成

如图1所示，处理炉202具有作为加热手段(加热机构)的加热器207。加热器207为圆筒形状，通过支承于保持板而垂直地安装。加热器207也作为利用热来使气体活化(激发)的活化机构(激发部)发挥功能。