[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质有效
| 申请号： | 201710608317.7 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107658210B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 中谷公彦;芦原洋司;柄泽元;原田和宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 记录 介质 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，具有通过将下述循环重复多次，使第一原料与第二原料间歇地反应，从而在衬底上形成硅硼碳化膜的工序，
所述循环交替进行下述工序：
对表面具有凹部的衬底供给所述第一原料从而形成所述第一原料的吸附层的工序，所述第一原料满足八隅体规则且具有第一热分解温度；和
对所述衬底供给第二原料，使所述第一原料的吸附层与所述第二原料反应从而使该第一原料的吸附层和第二原料分解，由此将所述第一原料的吸附层改性的工序，所述第二原料不满足八隅体规则且具有比所述第一热分解温度低的第二热分解温度，
在形成所述硅硼碳化膜的工序中，使所述第一原料的供给量多于所述第二原料的供给量、并将所述第二原料的供给量相对于所述第一原料的供给量的比率设为0.5以下，
形成所述硅硼碳化膜的工序在当所述第一原料单独存在时所述第一原料不发生热分解且当所述第二原料单独存在时所述第二原料不发生热分解的条件下进行。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在形成所述膜的工序中，使所述第一原料的供给时间长于所述第二原料的供给时间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在形成所述膜的工序中，使所述第一原料的供给流量大于所述第二原料的供给流量。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在形成所述膜的工序中，使所述第一原料的分压大于所述第二原料的分压。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在形成所述膜的工序中，将所述第二原料的供给量相对于所述第一原料的供给量的比率设为0.2以下。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在形成所述膜的工序中，将所述第二原料的供给量相对于所述第一原料的供给量的比率设为0.17以下。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第二原料具有与所述第一原料的极性同等或比其更高的极性。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第一原料包含第14族元素，所述第二原料包含第13族元素。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第一原料包含硅，所述第二原料包含硼。
10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，形成所述膜的工序于250℃以上且400℃以下的温度进行。
11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，形成所述膜的工序于250℃以上且325℃以下的温度进行。
12.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在形成所述膜的工序中，对所述凹部进行所述膜的埋入。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
