[发明专利]OLED封装方法与OLED封装结构有效
| 申请号： | 201710607495.8 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107331792B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 黄辉 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;闻盼盼 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种OLED封装方法与OLED封装结构。本发明的OLED封装方法通过形成缓冲颗粒层来实现薄膜封装层的平坦化，降低位于发光像素边缘的薄膜封装层断裂的概率，所述缓冲颗粒层同时能阻隔水氧，提升制得的OLED封装结构的封装效果。本发明的OLED封装结构通过设置缓冲颗粒层实现了薄膜封装层的平坦化，降低位于发光像素边缘的薄膜封装层断裂的概率，具有优异的封装效果。 | ||
| 搜索关键词： | oled 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成发光像素层(20)，所述发光像素层(20)包括间隔设置的数个发光像素(21)；步骤2、在所述衬底基板(10)与发光像素层(20)上形成第一薄膜封装层(41)，在所述第一薄膜封装层(41)上对应于所述数个发光像素(21)之间的区域形成缓冲颗粒层(30)，所述缓冲颗粒层(30)的厚度与所述数个发光像素(21)的厚度相同；步骤3、在所述缓冲颗粒层(30)与第一薄膜封装层(41)上形成第二薄膜封装层(42)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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