[发明专利]OLED封装方法与OLED封装结构有效

专利信息
申请号: 201710607495.8 申请日: 2017-07-24
公开(公告)号: CN107331792B 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 黄辉 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂;闻盼盼
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: oled 封装 方法 结构
【说明书】:

发明提供一种OLED封装方法与OLED封装结构。本发明的OLED封装方法通过形成缓冲颗粒层来实现薄膜封装层的平坦化,降低位于发光像素边缘的薄膜封装层断裂的概率,所述缓冲颗粒层同时能阻隔水氧,提升制得的OLED封装结构的封装效果。本发明的OLED封装结构通过设置缓冲颗粒层实现了薄膜封装层的平坦化,降低位于发光像素边缘的薄膜封装层断裂的概率,具有优异的封装效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED封装方法与OLED封装结构。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器,也称为有机电致发光显示器,是一种新兴的平板显示装置,由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快,而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点,因而具有广阔的应用前景。

OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管(TFT,Thin Film Transistor)矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

OLED通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层(Hole InjectLayer,HIL)、设于空穴注入层上的空穴传输层(Hole Transport Layer,HTL)、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层(Electron Transport Layer,ETL)、设于电子传输层上的电子注入层(Electron Inject Layer,EIL)、及设于电子注入层上的阴极。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。具体的,OLED显示器件通常采用ITO像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。

OLED与液晶显示面板(TFT-LCD)相比,最大的优势就是可制备大尺寸、超薄的柔性OLED显示器件,目前柔性OLED显示器件是显示领域未来的一个主要研究方向,其主要是采用薄膜封装的方法进行制备,但是由于OLED基板的像素区与非像素区之间存在高度差,因此在薄膜封装过程中容易使薄膜封装层形成凹凸不平的非平坦状态,较易造成像素区边缘的薄膜封装层断裂,从而使器件失效。

发明内容

本发明的目的在于提供一种OLED封装方法,能够实现薄膜封装层的平坦化,降低位于发光像素边缘的薄膜封装层断裂的概率,提升制得的OLED封装结构的封装效果,从而保证高效的发光效率。

本发明的目的还在于提供一种OLED封装结构,薄膜封装层的表面平坦,位于发光像素边缘的薄膜封装层断裂的概率较低,具有优异的封装效果,从而保证高效的发光效率。

为实现上述目的,本发明提供一种OLED封装方法,包括如下步骤:

步骤1、提供衬底基板,在所述衬底基板上形成发光像素层,所述发光像素层包括间隔设置的数个发光像素;

步骤2、在所述衬底基板上对应于所述数个发光像素之间的区域形成缓冲颗粒层,所述缓冲颗粒层的厚度与所述数个发光像素的厚度接近或相同;

步骤3、在所述发光像素层与缓冲颗粒层上形成薄膜封装层。

所述缓冲颗粒层为单层颗粒层,所述缓冲颗粒的粒径大于或等于所述数个发光像素的厚度;所述缓冲颗粒为金属氧化物颗粒。

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