[发明专利]测量芯片的未对准的方法、扇出面板级封装及其制造方法有效
申请号: | 201710596202.0 | 申请日: | 2017-07-20 |
公开(公告)号: | CN107644821B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 孙荣薰;梁裕信 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/68;H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了测量芯片的未对准的方法、利用该方法制造扇出面板级封装的方法以及由其制造的扇出面板级封装。测量方法可以包括:通过扫描基板上的芯片获得图像;获得图像中的参考芯片相对于基板的绝对位移;获得图像中的辅助芯片相对于参考芯片的相对位移;以及根据绝对位移和相对位移计算芯片的未对准。 | ||
搜索关键词: | 测量 芯片 对准 方法 面板 封装 及其 制造 | ||
【主权项】:
一种测量基板中的芯片的未对准的方法,包括:通过扫描所述基板和所述芯片获得图像,所述芯片在第一方向和第二方向上布置在所述基板中,所述芯片包括布置在所述第一方向或所述第二方向上的第一至第n芯片;获得所述图像中的参考芯片相对于所述基板的绝对位移,所述参考芯片对应于所述图像中的所述芯片中的第k芯片,k是大于或等于1并小于或等于n的整数;获得所述图像中的辅助芯片相对于所述参考芯片的相对位移,所述辅助芯片对应于所述芯片当中的不是参考芯片的芯片;以及基于所述绝对位移和所述相对位移计算所述芯片的未对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造