[发明专利]测量芯片的未对准的方法、扇出面板级封装及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710596202.0 申请日: 2017-07-20
公开(公告)号: CN107644821B 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 孙荣薰;梁裕信 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/68;H01L21/56;H01L23/31
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 屈玉华
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供了测量芯片的未对准的方法、利用该方法制造扇出面板级封装的方法以及由其制造的扇出面板级封装。测量方法可以包括:通过扫描基板上的芯片获得图像;获得图像中的参考芯片相对于基板的绝对位移;获得图像中的辅助芯片相对于参考芯片的相对位移;以及根据绝对位移和相对位移计算芯片的未对准。
搜索关键词: 测量 芯片 对准 方法 面板 封装 及其 制造
【主权项】:
一种测量基板中的芯片的未对准的方法,包括:通过扫描所述基板和所述芯片获得图像,所述芯片在第一方向和第二方向上布置在所述基板中,所述芯片包括布置在所述第一方向或所述第二方向上的第一至第n芯片;获得所述图像中的参考芯片相对于所述基板的绝对位移,所述参考芯片对应于所述图像中的所述芯片中的第k芯片,k是大于或等于1并小于或等于n的整数;获得所述图像中的辅助芯片相对于所述参考芯片的相对位移,所述辅助芯片对应于所述芯片当中的不是参考芯片的芯片;以及基于所述绝对位移和所述相对位移计算所述芯片的未对准。
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