[发明专利]一种光刻胶回刻平坦化方法有效
| 申请号： | 201710564645.1 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107300834B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 魏绍均 | 申请（专利权）人： | 上海彤程电子材料有限公司;彤程新材料集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 李余江;朱法恒 |
| 地址： | 200000 上海市奉贤*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻胶回刻平坦化方法。所述光刻胶回刻平坦化方法，包括：在具有电路结构的硅片表面形成介质层；对所述硅片进行第一次烘烤处理；在所述硅片的自然冷却过程中，在所述硅片表面涂覆光刻胶，其中，所述光刻胶覆盖所述介质层；在所述光刻胶涂覆完成之后对所述硅片进行第二次烘烤处理；对所述光刻胶和所述介质层进行回刻处理，来使所述硅片表面平坦化。本发明提供的方法可以避免在光刻胶平坦化刻蚀过程中出现过量刻蚀甚至破坏其他膜层，有效保证光刻胶回刻的平坦化程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 胶回刻 平坦 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻胶回刻平坦化方法，其特征在于，包括：在具有电路结构的硅片表面形成介质层；对所述硅片进行第一次烘烤处理；在所述硅片的自然冷却过程中，在所述硅片表面涂覆光刻胶，其中，所述光刻胶覆盖所述介质层；在所述光刻胶涂覆完成之后对所述硅片进行第二次烘烤处理；对所述光刻胶和所述介质层进行回刻处理，来使所述硅片表面平坦化。
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