[发明专利]一种光刻胶回刻平坦化方法有效
| 申请号： | 201710564645.1 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107300834B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 魏绍均 | 申请（专利权）人： | 上海彤程电子材料有限公司;彤程新材料集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 李余江;朱法恒 |
| 地址： | 200000 上海市奉贤*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 胶回刻 平坦 方法 | ||
1.一种光刻胶回刻平坦化方法，其特征在于，包括：
在具有电路结构的硅片表面形成介质层；
对所述硅片进行第一次烘烤处理；
在所述硅片的自然冷却过程中，在所述硅片表面涂覆光刻胶，其中，所述光刻胶覆盖所述介质层；
在所述光刻胶涂覆完成之后对所述硅片进行第二次烘烤处理；
对所述光刻胶和所述介质层进行回刻处理，来使所述硅片表面平坦化。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层形成在所述硅片表面并且至少覆盖所述电路结构。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述介质层在所述电路结构附近形成小缝隙。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述光刻胶的涂覆之前所述硅片经过所述第一次烘烤而具有一定温度的，且所述光刻胶涂覆过程中所述硅片逐渐变凉而导致所述小缝隙内部的空气出现收缩并将所述光刻胶吸入到所述小缝隙的内部。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述光刻胶被吸入并至少填充到所述小缝隙的底部。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次烘烤处理的烘烤温度为50℃~100℃，而烘烤时间为1分钟~20分钟。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二次烘烤处理的烘烤温度为50℃~100℃，而烘烤时间为1分钟~20分钟。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述第一次烘烤处理用于去除所述硅片表面的水汽，所述第二次烘烤处理用于去除所述光刻胶的溶剂。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，还包括：在所述硅片表面覆盖增粘剂，所述增粘剂用于在后续光刻胶涂覆过程中增加所述光刻胶和所述硅片之间的粘附性。
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