[发明专利]一种光刻胶回刻平坦化方法

说明书

本发明提供了一种光刻胶回刻平坦化方法。所述光刻胶回刻平坦化方法，包括：在具有电路结构的硅片表面形成介质层；对所述硅片进行第一次烘烤处理；在所述硅片的自然冷却过程中，在所述硅片表面涂覆光刻胶，其中，所述光刻胶覆盖所述介质层；在所述光刻胶涂覆完成之后对所述硅片进行第二次烘烤处理；对所述光刻胶和所述介质层进行回刻处理，来使所述硅片表面平坦化。本发明提供的方法可以避免在光刻胶平坦化刻蚀过程中出现过量刻蚀甚至破坏其他膜层，有效保证光刻胶回刻的平坦化程度。

【技术领域】

本发明涉及半导体芯片制造技术领域，特别地，涉及一种光刻胶回刻平坦化方法。

【背景技术】

在半导体芯片的制造工艺中，光刻胶回刻平坦化是一项重要的工艺技术，其主要是利用涂覆到介质层上的光刻胶，对其进行刻蚀处理，从而达到平坦化介质层目的。然而，上述工艺过程中，如果介质层表面存在小缝隙的情况，光刻胶涂覆烘烤过程中小缝隙中的空气容易出现膨胀，会造成在小缝隙的表面形成一个气泡。由于气泡的存在，此处的光刻胶的厚度会很小，因此光刻胶很容易被刻穿，进而导致在气泡所在的区域的介质层很容易被过量刻蚀，甚至还可以损伤到介质层下方的其他膜层，从而导致平坦化效果变差。

有鉴于此，有必要提供一种光刻胶回刻平坦化方法，以解决现有技术存在的上述问题。

【发明内容】

本发明的其中一个目的在于为解决上述问题而提供一种光刻胶回刻平坦化方法。

本发明提供的光刻胶回刻平坦化方法，包括：在具有电路结构的硅片表面形成介质层；对所述硅片进行第一次烘烤处理；在所述硅片的自然冷却过程中，在所述硅片表面涂覆光刻胶，其中，所述光刻胶覆盖所述介质层；在所述光刻胶涂覆完成之后对所述硅片进行第二次烘烤处理；对所述光刻胶和所述介质层进行回刻处理，来使所述硅片表面平坦化。

作为在本发明提供的光刻胶回刻平坦化方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述介质层形成在所述硅片表面并且至少覆盖所述电路结构。

作为在本发明提供的光刻胶回刻平坦化方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述介质层在所述电路结构附近形成小缝隙。

作为在本发明提供的光刻胶回刻平坦化方法的一种改进，在一种优选实施例中，在所述光刻胶涂覆之后，所述介质层表面的低洼处会被所述光刻胶填平，而所述介质层存在的小缝隙则未被所述光刻胶填充满。

作为在本发明提供的光刻胶回刻平坦化方法的一种改进，在一种优选实施例中，在所述光刻胶的涂覆之前所述硅片经过所述第一次烘烤而具有一定温度的，且所述光刻胶涂覆过程中所述硅片逐渐变凉而导致所述小缝隙内部的空气出现收缩并将所述光刻胶吸入到所述小缝隙的内部。

作为在本发明提供的光刻胶回刻平坦化方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述光刻胶被吸入并至少填充到所述小缝隙的底部。

作为在本发明提供的光刻胶回刻平坦化方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述第一次烘烤处理的烘烤温度为50℃~100℃，而烘烤时间为1分钟~20分钟。

作为在本发明提供的光刻胶回刻平坦化方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述第二次烘烤处理的烘烤温度为50℃~100℃，而烘烤时间为1分钟~20分钟。

作为在本发明提供的光刻胶回刻平坦化方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述第一次烘烤处理用于去除所述硅片表面的水汽，所述第二次烘烤处理用于去除所述光刻胶的溶剂。

作为在本发明提供的光刻胶回刻平坦化方法的一种改进，在一种优选实施例中，还包括：在所述硅片表面覆盖增粘剂，所述增粘剂用于在后续光刻胶涂覆过程中增加所述光刻胶和所述硅片之间的粘附性。