[发明专利]垂直存储器件有效
| 申请号： | 201710561061.9 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN107611132B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 金敬勋;金泓秀;李朱嬿 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/41 | 分类号： | H10B41/41;H10B43/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种垂直存储器件包括：包括单元区和外围电路区的衬底，在基本上垂直于衬底的上表面的垂直方向上顺序地堆叠在衬底的单元区上的栅电极，在单元区上并在垂直方向上延伸穿过栅电极的沟道，在外围电路区上并在垂直方向上延伸的第一下接触插塞，在外围电路区上与第一下接触插塞相邻并在垂直方向上延伸的第二下接触插塞，以及电连接到第一下接触插塞的第一上布线。第一上布线被配置为将电信号施加到第一下接触插塞。第二下接触插塞不被电连接到配置为施加电信号的上布线。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种垂直存储器件，包括：包括单元区和外围电路区衬底；在基本上垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上顺序地堆叠在所述衬底的所述单元区上的栅电极；在所述衬底的所述单元区上的沟道，所述沟道在所述垂直方向上延伸穿过所述栅电极；在所述衬底的所述外围电路区上的第一下接触插塞，所述第一下接触插塞在所述垂直方向上延伸；在所述衬底的所述外围电路区上与所述第一下接触插塞相邻的第二下接触插塞，所述第二下接触插塞在所述垂直方向上延伸，所述第二下接触插塞不被电连接到配置为施加电信号的上布线；以及电连接到所述第一下接触插塞的第一上布线，所述第一上布线被配置为将电信号施加到所述第一下接触插塞。
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