[发明专利]垂直存储器件

权利要求书

1.一种垂直存储器件，包括：

包括单元区和外围电路区的衬底；

在基本上垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上顺序地堆叠在所述衬底的所述单元区上的栅电极；

在所述衬底的所述单元区上的沟道，所述沟道在所述垂直方向上延伸穿过所述栅电极；

在所述衬底的所述外围电路区上的第一下接触插塞，所述第一下接触插塞的每个在所述垂直方向上延伸；

在所述衬底的所述外围电路区上与所述第一下接触插塞相邻的至少一个第二下接触插塞，所述至少一个第二下接触插塞在所述垂直方向上延伸，所述至少一个第二下接触插塞不被电连接到配置为施加电信号的上布线，所述至少一个第二下接触插塞是没有被施加电信号的虚设下接触插塞；

在所述衬底的所述外围电路区上的第一栅极结构；

第一杂质区和第二杂质区，形成在所述衬底的有源区的上部处并与所述第一栅极结构相邻；

在所述外围电路区上在所述垂直方向上延伸的第三下接触插塞，所述第三下接触插塞分别连接到所述第一栅极结构、所述第一杂质区和所述第二杂质区，并被施加电信号；以及

分别电连接到所述第一下接触插塞的第一上布线，所述第一上布线被配置为将电信号分别施加到所述第一下接触插塞，

其中所述至少一个第二下接触插塞穿透覆盖所述衬底的所述外围电路区的绝缘层，以接触所述衬底，

其中所述第一下接触插塞以比所述第三下接触插塞的密度更低的密度被形成。

2.根据权利要求1所述的垂直存储器件，还包括：

在所述第一下接触插塞与所述第一上布线之间的第一上接触插塞，其中

所述第一上接触插塞接触所述第一下接触插塞和所述第一上布线。

3.根据权利要求1所述的垂直存储器件，还包括：

在所述衬底上的隔离图案，其中

所述衬底包括场区和所述有源区，以及

所述隔离图案在所述场区上并且不形成在所述有源区上。

4.根据权利要求3所述的垂直存储器件，其中

所述衬底的所述有源区的上部包括第三杂质区，

所述第一下接触插塞接触所述有源区的所述上部处的所述第三杂质区，以及

所述第二下接触插塞接触所述隔离图案或所述衬底的所述有源区的此处不形成所述第三杂质区的部分。

5.根据权利要求3所述的垂直存储器件，其中

所述衬底还包括与所述有源区相邻的虚设有源区，

所述第一下接触插塞接触所述有源区的上表面，以及

所述第二下接触插塞接触所述虚设有源区的上表面。

6.根据权利要求3所述的垂直存储器件，还包括：

在所述衬底上的虚设栅极结构；以及

与所述虚设栅极结构相邻的第三杂质区，其中

所述第一下接触插塞连接到所述第三杂质区，以及

所述第二下接触插塞连接到所述虚设栅极结构。

7.根据权利要求3所述的垂直存储器件，还包括：

在所述有源区上的晶体管；其中，

所述衬底包括在所述有源区的上部上的保护环，

所述保护环围绕所述晶体管，以及

所述第一下接触插塞和所述第二下接触插塞在所述保护环上。

8.根据权利要求7所述的垂直存储器件，其中

所述有源区用杂质轻掺杂，以及

所述保护环用杂质重掺杂。

9.根据权利要求3所述的垂直存储器件，还包括：

在所述衬底上的第二栅极结构，其中

所述有源区包括彼此相邻的第一有源区、第二有源区和第三有源区，

所述第二栅极结构在所述第一有源区上，

所述第一下接触插塞在所述第一有源区的与所述第二栅极结构相邻的部分上和在所述第二有源区上，

以及所述第二下接触插塞在所述第三有源区上。