[发明专利]包括电介质层的半导体器件有效
| 申请号： | 201710546180.7 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107591404B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 崔恩荣;金斐悟;金泳完;金重浩;孙荣鲜;安宰永;张炳铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/20;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种包括电介质层的半导体器件。该半导体器件包括堆叠结构和在堆叠结构内的竖直结构。该竖直结构包括具有第一宽度的下部区域和具有大于第一宽度的第二宽度的上部区域。该竖直结构还包括下部区域中的下部厚度与上部区域中的上部厚度的各自的比值彼此不同的两个电介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 电介质 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：堆叠结构；以及竖直结构，在所述堆叠结构内，其中所述竖直结构包括具有第一宽度的下部区域和具有大于所述第一宽度的第二宽度的上部区域，并且还包括所述下部区域中的下部厚度与所述上部区域中的上部厚度的各自的比值彼此不同的两个电介质层。
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