[发明专利]元件芯片的制造方法有效

专利信息
申请号: 201710546105.0 申请日: 2017-07-06
公开(公告)号: CN107591321B 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 置田尚吾;广岛满;针贝笃史;松原功幸;伊藤彰宏 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H01L21/308
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李国华
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种元件芯片的制造方法。半导体芯片的制造方法包括:准备半导体晶片,所述半导体晶片具备露出有凸块的表面、表面的相反侧的背面、形成有凸块的多个元件区域、以及划分元件区域的分割区域;在半导体晶片的表面沿着凸块通过喷涂法对包含掩模的原料的液体进行喷雾;在半导体晶片的表面形成被覆凸块并且具有使所述分割区域露出的开口的掩模;将半导体晶片的表面暴露于第一等离子体,在凸块被掩模被覆的状态下,对露出在该开口的分割区域进行蚀刻,直至到达背面,从而将半导体晶片单片化。
搜索关键词: 元件 芯片 制造 方法
【主权项】:
一种元件芯片的制造方法,包括:准备基板,所述基板具备露出有金属电极的第一面、所述第一面的相反侧的第二面、形成有所述金属电极的多个元件区域、以及划分所述元件区域的分割区域;在所述基板的所述第一面沿着所述金属电极形成被覆所述金属电极并且具有使所述分割区域露出的开口的掩模;以及将所述基板的所述第一面暴露于第一等离子体,在所述金属电极由所述掩模被覆的状态下,对露出在所述开口的所述分割区域进行蚀刻,直至到达所述第二面,从而将所述基板单片化。
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