[发明专利]元件芯片的制造方法有效
申请号: | 201710546105.0 | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN107591321B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 置田尚吾;广岛满;针贝笃史;松原功幸;伊藤彰宏 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/308 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李国华 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 芯片 制造 方法 | ||
1.一种元件芯片的制造方法,包括:
准备基板,所述基板具备露出有金属电极的第一面、所述第一面的相反侧的第二面、形成有所述金属电极的多个元件区域、以及划分所述元件区域的分割区域;
在所述基板的所述第一面沿着所述金属电极形成被覆所述金属电极并且具有使所述分割区域露出的开口的掩模;以及
将所述基板的所述第一面暴露于第一等离子体,在所述金属电极由所述掩模被覆的状态下,对露出在所述开口的所述分割区域进行蚀刻,直至到达所述第二面,从而将所述基板单片化,
所述金属电极是突出电极,
所述掩模的形成,包括从喷涂装置具备的喷嘴将包含所述掩模的原料并且由甲基乙基酮或丙二醇一甲基醚乙酸酯稀释了的液体与压缩气体一同吹附到所述基板的所述第一面。
2.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法,还包括:
用保持带保持所述基板的所述第二面;以及
在形成所述掩模之后,且在由所述保持带保持所述基板的所述第二面之后,在将所述基板单片化之前,将所述基板经由所述保持带载置在载置台。
3.根据权利要求2所述的元件芯片的制造方法,还包括:
在所述基板的单片化之后,将保持在所述保持带的状态的所述单片化了的所述基板暴露于第二等离子体,从而除去所述掩模而使所述金属电极露出。
4.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法,所述基板具备:
第一层,其是具有所述第二面的半导体层;以及
第二层,其是形成在所述第一层上、具有所述第一面并在所述第一面形成有所述金属电极的布线层,
在形成所述掩模之后,隔着所述掩模在所述基板表面粘附保护带,并对所述第一层进行研磨。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造