[发明专利]存储器结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710545488.X 申请日: 2017-07-06
公开(公告)号: CN109216363B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 蔡易宗;杨祐俊;林芳纬;郭信利 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: H01L27/11521 分类号: H01L27/11521;H01L27/11568;H01L29/788;H01L29/792
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种存储器结构,包括基底、存储单元结构与保护层结构。存储单元结构设置在基底上,且具有相对的第一侧与第二侧。保护层结构覆盖存储单元结构。保护层结构的材料为氮化物。保护层结构为连续结构。邻近于存储单元结构的第二侧的保护层结构的高度高于邻近于存储单元结构的第一侧的保护层结构的高度。本发明还提供该存储器结构的制造方法。上述存储器结构及其制造方法可具有较佳的高温数据保存能力。
搜索关键词: 存储器 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种存储器结构,其特征在于,包括:基底;存储单元结构,设置在所述基底上,且具有相对的第一侧与第二侧;以及保护层结构,覆盖所述存储单元结构,其中所述保护层结构的材料为氮化物,所述保护层结构为连续结构,且邻近于所述存储单元结构的所述第二侧的所述保护层结构的高度高于邻近于所述存储单元结构的所述第一侧的所述保护层结构的高度。
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