[发明专利]存储器结构及其制造方法有效
申请号: | 201710545488.X | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN109216363B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 蔡易宗;杨祐俊;林芳纬;郭信利 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11521 | 分类号: | H01L27/11521;H01L27/11568;H01L29/788;H01L29/792 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 结构 及其 制造 方法 | ||
本发明提供一种存储器结构,包括基底、存储单元结构与保护层结构。存储单元结构设置在基底上,且具有相对的第一侧与第二侧。保护层结构覆盖存储单元结构。保护层结构的材料为氮化物。保护层结构为连续结构。邻近于存储单元结构的第二侧的保护层结构的高度高于邻近于存储单元结构的第一侧的保护层结构的高度。本发明还提供该存储器结构的制造方法。上述存储器结构及其制造方法可具有较佳的高温数据保存能力。
技术领域
本发明涉及一种半导体结构及其制造方法,尤其涉及一种存储器结构及其制造方法。
背景技术
对于存储器元件(如,快闪存储器)而言,数据的保存为其最重要的特性之一,因此如何提升存储器元件的可靠度一直以来为业界所探讨的方向。
然而,传统处理利用蚀刻处理定义接触窗时,时常造成存储单元顶部侧角的损伤,而影响介电层对于存储单元的包覆性,导致信赖性问题。此外,在用以包覆存储单元结构的氮化物层的包覆性不佳的情况下,将会造成氮化物层不连续,而在氮化物层中形成裂口(breach),因此会导致高温数据保存能力下滑,进而使得存储器元件的可靠度不佳且会造成良率的损失。
发明内容
本发明提供一种存储器结构及其制造方法,其可具有较佳的高温数据保存能力。
本发明提出一种存储器结构,包括基底、存储单元结构与保护层结构。存储单元结构设置在基底上,且具有相对的第一侧与第二侧。保护层结构覆盖存储单元结构。保护层结构的材料为氮化物。保护层结构为连续结构。邻近于存储单元结构的第二侧的保护层结构的高度高于邻近于存储单元结构的第一侧的保护层结构的高度。
本发明提出一种存储器结构的制造方法,包括以下步骤。在基底上形成存储单元结构。存储单元结构具有相对的第一侧与第二侧。形成覆盖存储单元结构的保护层结构。保护层结构的材料为氮化物。保护层结构为连续结构。邻近于存储单元结构的第二侧的保护层结构的高度高于邻近于存储单元结构的第一侧的保护层结构的高度。
基于上述,在本发明所提出的存储器结构及其制造方法中,保护层结构的材料为氮化物,保护层结构为连续结构,且邻近于存储单元结构的第二侧的保护层结构的高度高于邻近于存储单元结构的第一侧的保护层结构的高度。因此,保护层结构对于存储单元结构具有较佳的包覆性,进而可使得存储器结构具有较佳的高温数据保存能力,藉此能够提升存储器结构的可靠度与良率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1G为本发明一实施例的存储器结构的制造流程剖面图;
图2A至图2G为本发明另一实施例在接续图1B的步骤之后的存储器结构的制造流程剖面图。
附图标号说明:
100:基底
102:存储单元结构
104:第一介电层
106:电荷存储结构
108:第二介电层
110:第一导体层
112:金属硅化物层
114:第一顶盖层
116:第二顶盖层
118:第一间隙壁
120:第二间隙壁
122:第三介电层
124:牺牲材料层
124a:牺牲层
126:第一开口
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的