[发明专利]存储器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器结构，其特征在于，包括：

基底；

存储单元结构，设置在所述基底上，且具有相对的第一侧与第二侧；以及

保护层结构，覆盖所述存储单元结构，其中

所述保护层结构的材料为氮化物，

所述保护层结构为连续结构，

邻近于所述存储单元结构的所述第二侧的所述保护层结构的高度高于邻近于所述存储单元结构的所述第一侧的所述保护层结构的高度，且

所述保护层结构包括：

第一间隙壁，设置在所述存储单元结构的所述第一侧的侧壁上与所述存储单元结构的所述第二侧的侧壁上；以及

保护层，设置在所述存储单元结构的顶面上与所述存储单元结构的所述第一侧的所述第一间隙壁上，且连接于所述第一间隙壁，其中邻近于所述存储单元结构的所述第二侧的部分所述保护层具有凹口，且所述凹口朝向所述存储单元结构的所述第一侧。

2.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述存储单元结构包括：

第一介电层，设置在所述基底上；

电荷存储结构，设置在所述第一介电层上；

第二介电层，设置在所述电荷存储结构上；以及

第一导体层，设置在所述第二介电层上。

3.根据权利要求2所述的存储器结构，其特征在于，所述存储单元结构还包括：

金属硅化物层，设置在所述第一导体层上；

第一顶盖层，设置在所述第一导体层上；以及

第二顶盖层，设置在所述第一顶盖层上。

4.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，还包括第二间隙壁，设置在所述第一间隙壁与所述存储单元结构之间。

5.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，还包括第三介电层，覆盖位于所述存储单元结构的所述第二侧的所述第一间隙壁。

6.根据权利要求5所述的存储器结构，其特征在于，所述第三介电层还覆盖所述存储单元结构的顶面与位于所述存储单元结构的所述第一侧的所述第一间隙壁。

7.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述保护层结构包括：

第一保护层，设置在所述存储单元结构的顶面上与所述存储单元结构的所述第一侧的侧壁上；

第二保护层，设置在所述存储单元结构的邻近于所述第二侧的顶面上，且连接于所述第一保护层；以及

第三保护层，设置在所述存储单元结构的所述第二侧的侧壁上与所述第二保护层上，且连接于所述第二保护层。

8.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，还包括：

第四介电层，覆盖所述存储单元结构，且具有开口，其中所述开口暴露出位于所述存储单元结构的所述第二侧的所述基底；以及

第二导体层，填入所述开口中。