[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710545199.X | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107623025B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 可知刚;星野义典;长濑仙一郎 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文提供了半导体器件及其制造方法，可防止元件的破坏，其中，杂质量的控制不易受到制造工艺的变化的影响。半导体衬底具有前表面并且包括从所述前表面向所述衬底的内部延伸的孔部。在所述半导体衬底中形成n型区域。在所述孔部的壁表面上形成p型区域以与n型区域构成p‑n结。每个p型区域包括形成于每个孔部的壁表面上的低浓度区域和高浓度区域。所述高浓度区域沿着所述孔部的壁表面的宽度自所述前表面朝向更深的位置变小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
半导体器件，其包括：半导体衬底，该半导体衬底具有前表面并且包括孔部，所述孔部从所述前表面延伸至该半导体衬底的内部；形成于所述半导体衬底中的第一导电类型的第一杂质区域；以及形成于所述孔部的壁表面的第二导电类型的第二杂质区域，所述第二杂质区域与所述第一杂质区域形成p‑n结；其中，所述第二杂质区域包括：形成于所述孔部的壁表面上的第二导电类型的低浓度区域，和形成于所述孔部的壁表面上且与所述低浓度区域连接的第二导电类型的高浓度区域，并且其中，所述高浓度区域沿着所述孔部的壁表面的宽度自所述前表面朝向更深的位置变小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710545199.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种桶盖以及化工桶
- 下一篇：开启时释放盖构件内容物的包装容器及其包装组合物
- 同类专利
- 专利分类
