[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710545199.X | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107623025B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 可知刚;星野义典;长濑仙一郎 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.半导体器件，其包括：
半导体衬底，该半导体衬底具有前表面并且包括孔部，所述孔部从所述前表面延伸至该半导体衬底的内部；
形成于所述半导体衬底中的第一导电类型的第一杂质区域；以及
形成于所述孔部的壁表面的第二导电类型的第二杂质区域，所述第二杂质区域与所述第一杂质区域形成p-n结；
其中，所述第二杂质区域包括：
形成于所述孔部的壁表面上的第二导电类型的低浓度区域，和
形成于所述孔部的壁表面上且与所述低浓度区域连接的第二导电类型的高浓度区域，并且
其中，所述高浓度区域沿着所述孔部的壁表面的宽度自所述前表面朝向更深的位置变小，
其中，所述高浓度区域自所述半导体衬底的所述前表面起的深度比所述孔部自所述半导体衬底的所述前表面起的深度浅，并且在所述孔部的所述壁表面上具有所述第二导电类型的杂质几乎不注入的区域。
2.如权利要求1所述的半导体器件，
其中，在平面视图中所述孔部具有多边形形状。
3.如权利要求2所述的半导体器件，
其中，在所述前表面，所述高浓度区域的宽度位于所述孔部的整个一个边上。
4.如权利要求1所述的半导体器件，
其中，在平面视图中所述孔部具有正方形形状。
5.如权利要求1所述的半导体器件，
其中，在平面视图中所述孔部具有矩形形状。
6.如权利要求5所述的半导体器件，
其中，在所述前表面，所述孔部的矩形形状的长边的大小是所述孔部的深度的5.6倍或更小。
7.如权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述孔部的平面占用面积自所述前表面朝向更深的位置变小。
8.制造半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：
在半导体衬底中形成第一导电类型的第一杂质区域；
在所述半导体衬底的前表面形成孔部；以及
通过以在平面视图中相对于所述孔部的多个不同的角度注入离子形成第二导电类型的第二杂质区域，所述第二杂质区域包括位于所述孔部的壁表面上的第二导电类型的低浓度区域和位于所述孔部的壁表面上且与所述低浓度区域连接的第二导电类型的高浓度区域，所述第二杂质区域和所述第一杂质区域形成p-n结，
其中，所述高浓度区域形成为该高浓度区域沿着所述孔部的壁表面的宽度自所述前表面朝向更深的位置变小，
其中，所述高浓度区域自所述半导体衬底的所述前表面起的深度比所述孔部自所述半导体衬底的所述前表面起的深度浅，并且在所述孔部的所述壁表面上具有所述第二导电类型的杂质几乎不注入的区域。
9.如权利要求8所述的制造半导体器件的方法，
其中，所述孔部被形成为在平面视图中具有多边形形状，并且
其中，所述高浓度区域被形成为：在所述前表面，该高浓度区域的宽度位于所述孔部的整个一个边上。
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