[发明专利]分栅快闪存储器及避免其编程串扰失效的方法在审
| 申请号： | 201710543546.5 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN107331666A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 徐涛 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11526 | 分类号： | H01L27/11526;H01L23/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种分栅快闪存储器及避免其编程串扰失效的方法，包括提供管芯，所述管芯包括衬底、形成于所述衬底上的隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层表面形成字线层，所述字线层的厚度H0＝H1+ΔH，其中，H1为制程设定的需要形成的字线层厚度，ΔH为制程监控测试中量测出的字线层厚度H2与实际的字线层厚度H3的差值。本发明所提供的分栅快闪存储器及避免其编程串扰失效的方法，通过数据分析分析出制程监控测试中量测的字线层厚度与实际字线层厚度之间的差值，让字线层在形成时，补偿这一差值，使字线层的厚度达到所需要的要求，从而避免分栅快闪存储器由于字线层厚度过薄而出现编程串扰失效。 | ||
| 搜索关键词： | 分栅快 闪存 避免 编程 失效 方法 | ||
【主权项】：
一种避免分栅快闪存储器编程串扰失效的方法，包括：提供管芯，所述管芯包括衬底、形成于所述衬底上的隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层表面形成字线层，所述字线层的厚度H0＝H1+ΔH，其中，H1为制程设定的需要形成的字线层厚度，ΔH为制程监控测试中量测出的字线层厚度H2与实际的字线层厚度H3的差值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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