[发明专利]集成电路及其形成方法

摘要

本公开实施例涉及一种集成电路(IC)及形成方法，该集成电路包含HKMG混合非易失性存储器(NVM)器件并且提供小尺寸和高性能。在一些实施例中，所述集成电路包含具有NVM器件的存储器区，所述NVM器件带有一对通过相应的浮置栅极与衬底分离的控制栅电极。一对选择栅电极设置在所述一对控制栅电极的相对侧。逻辑区邻近存储器区设置且具有逻辑器件，所述逻辑器件带有金属栅电极，所述金属栅电极设置在逻辑栅极电介质上方并且具有被高k栅极介电层覆盖的底部表面和侧壁表面。选择栅电极或控制栅电极包括金属并且具有被高k栅极介电层覆盖的底部表面和侧壁表面。

主权项

一种集成电路(IC)，包括：存储器区，所述存储器区包括非易失性存储器(NVM)器件，所述非易失性存储器器件具有通过相应的浮置栅极与衬底分离的一对控制栅电极，其中，一对选择栅电极设置在所述一对控制栅电极的相对侧；以及逻辑区，所述逻辑区邻近所述存储器区设置并且包括逻辑器件，所述逻辑器件包括第一金属栅电极，所述第一金属栅电极设置在逻辑栅极电介质上方并且具有被高k栅极介电层覆盖的底部表面和侧壁表面；其中，所述选择栅电极或所述控制栅电极包括金属，并且所述金属选择栅电极或所述金属控制栅电极具有被所述高k栅极介电层覆盖的底部表面和侧壁表面。