[发明专利]半导体存储装置

摘要

实施方式提供配线的布局容易的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括：半导体基板；多个晶体管，形成于所述半导体基板的上表面，沿着第1方向排列，且最小周期为第1周期；积层体，设置于所述半导体基板上且具有多片电极膜；第1触点，下端连接于所述电极膜；及第2触点，贯通所述积层体，且下端连接于所述晶体管的源极、漏极中的一个。所述积层体的第1部分的形状为在每个所述电极膜形成着阶面的阶梯状。在所述第1部分，沿着所述第1方向设定着第1区域及第2区域。配置于所述第2区域的所述阶面的所述第1方向上的长度比所述第1周期长。配置于所述第1区域的所述阶面的所述第1方向上的长度比所述第1周期短。

主权项

一种半导体存储装置，包括：半导体基板；多个晶体管，形成于所述半导体基板的上表面，沿着与所述上表面平行的第1方向排列，所述排列的最小周期为第1周期；积层体，设置于所述半导体基板上；第1触点；第2触点；及第1配线，连接于所述第1触点与所述第2触点之间；且所述积层体包括：多片电极膜，沿着上下方向相互隔离地积层；半导体构件，在所述多个晶体管的除正上方区域外的区域贯通所述多片电极膜；及电荷累积构件，设置于所述半导体构件与所述多片电极膜的一片之间；所述积层体中的配置于所述多个晶体管的正上方区域的第1部分的形状为在每个所述电极膜形成着阶面的阶梯状，在所述第1部分，沿着所述第1方向设定两个第1区域及配置于所述两个第1区域间的第2区域，在各所述第1区域配置着多个所述阶面，在所述第2区域配置着一个所述阶面，配置于所述第2区域的所述阶面的所述第1方向上的长度比所述第1周期长，配置于所述第1区域的所述阶面的所述第1方向上的长度比所述第1周期短，所述第1触点的下端在所述阶面连接于所述多片电极膜的一片，所述第2触点贯通所述积层体，下端连接于所述晶体管的源极、漏极中的一个。