[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

半导体基板；

多个晶体管，形成于所述半导体基板的上表面，沿着与所述上表面平行的第1方向排列，所述排列的最小周期为第1周期；

积层体，设置于所述半导体基板上；

第1触点；

第2触点；及

第1配线，连接于所述第1触点与所述第2触点之间；且

所述积层体包括：

多片电极膜，沿着上下方向相互隔离地积层；

半导体构件，在所述多个晶体管的除正上方区域外的区域贯通所述多片电极膜；及

电荷累积构件，设置于所述半导体构件与所述多片电极膜的一片之间；

所述积层体中的配置于所述多个晶体管的正上方区域的第1部分的形状为在每个所述电极膜形成着阶面的阶梯状，

在所述第1部分，沿着所述第1方向设定两个第1区域及配置于所述两个第1区域间的第2区域，

在各所述第1区域配置着多个所述阶面，

在所述第2区域配置着一个所述阶面，

配置于所述第2区域的所述阶面的所述第1方向上的长度比所述第1周期长，

配置于所述第1区域的所述阶面的所述第1方向上的长度比所述第1周期短，

所述第1触点的下端在所述阶面连接于所述多片电极膜的一片，

所述第2触点贯通所述积层体，下端连接于所述晶体管的源极、漏极中的一个，

所述多个电极膜的一个被分割为沿着与所述上下方向及所述第1方向交叉的第2方向排列的多个带状部分，

在所述第1部分，所述第1触点连接于一部分所述带状部分。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1触点配置于所述第1区域，所述第2触点配置于所述第2区域。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

所述第1配线配置于所述积层体上。

4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

所述第1配线连接于所述第1触点的上端及所述第2触点的上端。

5.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

所述第2区域设置着多个，

所述第1区域与所述第2区域沿着所述第1方向交替地配置。

6.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

所述第1部分的上表面在与所述上下方向及所述第1方向交叉的第2方向上的任意的位置，沿着远离所述半导体构件的所述第1方向，中途不上升而阶段性地下降。

7.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

所述多个电极膜的一个被分割为沿着与所述上下方向及所述第1方向交叉的第2方向排列的多个带状部分，

所述多个带状部分连接于相同的所述晶体管。

8.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

所述积层体被分割为沿着与所述上下方向及所述第1方向交叉的第2方向排列的多个带状部分，

在所述第1部分，在所述带状部分间形成着狭缝，

所述晶体管配置于所述狭缝的正下方区域。

9.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

所述多个晶体管也沿着与所述上下方向及所述第1方向交叉的第2方向排列。

10.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

所述阶面也沿着与所述上下方向及所述第1方向交叉的第2方向排列。

11.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

在所述第1部分，所述第1触点连接于相邻的多根所述带状部分，不连接于其他多根所述带状部分。

12.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

所述第1触点及所述第2触点配置于所述第1方向上相同的位置。