[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板在审
| 申请号： | 201710538292.8 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN107180876A | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 包智颖;王世君;薛艳娜;白璐 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，涉及显示技术领域，可提高薄膜晶体管的W/L，提高像素开口率。该薄膜晶体管包括依次层叠设置的栅极、栅绝缘层、第一电极、有源层和第二电极；所述第一电极和所述第二电极均与所述有源层接触；其中，所述有源层中部分与所述栅绝缘层接触，且所述栅绝缘层中与所述有源层接触部分还与所述栅极接触。用于薄膜晶体管中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括依次层叠设置的栅极、栅绝缘层、第一电极、有源层和第二电极；所述第一电极和所述第二电极均与所述有源层接触；其中，所述有源层中部分与所述栅绝缘层接触，且所述栅绝缘层中与所述有源层接触部分还与所述栅极接触。
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