[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板在审
| 申请号： | 201710538292.8 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN107180876A | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 包智颖;王世君;薛艳娜;白璐 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括依次层叠设置的栅极、栅绝缘层、第一电极、有源层和第二电极；所述第一电极和所述第二电极均与所述有源层接触；
其中，所述有源层中部分与所述栅绝缘层接触，且所述栅绝缘层中与所述有源层接触部分还与所述栅极接触。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极包括多个子栅极，所述第一电极包括至少一个第一子电极；
所述第一子电极设置在相邻所述子栅极之间。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括至少一个子有源层；所述子有源层设置在所述第一子电极上，且位于相邻所述子栅极之间。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括多个所述子有源层，所述子有源层之间相互电连接。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，相邻所述子有源层绕过所述子栅极上方电连接；
所述第一电极包括多个所述第一子电极，所述第一子电极绕过所述子栅极上方电连接。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括非晶硅层和设置在非晶硅层两侧的N型掺杂层，所述N型掺杂层分别与所述第一电极和所述第二电极接触。
7.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管、像素电极和数据线；
所述薄膜晶体管的第一电极与像素电极电连接，第二电极与所述数据线电连接；或者，所述第一电极与所述数据线电连接，所述第二电极与所述像素电极电连接。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，沿所述薄膜晶体管的层叠方向，所述数据线与所述薄膜晶体管具有重叠区域。
9.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成栅极；
在所述栅极上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成第一电极；
在所述第一电极上形成有源层，其中，所述有源层中部分与所述栅绝缘层接触，且所述栅绝缘层中与所述有源层接触部分还与所述栅极接触；
在所述有源层上形成第二电极。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，形成栅极，具体包括：
利用纳米压印法形成多个子栅极，多个所述子栅极构成栅极；
所述第一电极包括至少一个第一子电极，在所述栅绝缘层上形成第一电极，具体包括：
在相邻所述子栅极之间形成第一子电极；
所述有源层包括至少一个子有源层，在所述第一电极上形成有源层，具体包括：
在所述第一子电极上形成所述子有源层。
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