[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板。

背景技术

目前，随着显示技术的快速发展，显示屏幕的分辨率(Pixels Per Inch，简称PPI)越来越高，像素的间距(Pitch)越来越小，导致像素开口率(Aperture Ratio，简称AR)降低，因而提高高PPI显示产品的像素开口率是目前显示产品发展的方向之一。

图1(a)和图1(b)为现有技术提供的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的结构示意图，图1(a)和图1(b)以底栅型薄膜晶体管为例，现有技术中TFT的漏极(Drain)50和源极60设置在同一层，由于TFT行业中曝光设备精度普遍较低，因而源极60和漏极50之间的距离很难减小，从而使得TFT的沟道长度L无法进一步减小，因而TFT的像素开口率无法进一步提升。此外，随着显示产品的分辨率越来越高，每一行像素的充电时间越来越少，为了满足产品的充电率需求，需要提高TFT的W/L，由于TFT沟道长度L无法进一步减小，因而只能增加TFT的宽度W，这样又会严重影响像素开口率。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，可提高薄膜晶体管的W/L，提高像素开口率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种薄膜晶体管，包括依次层叠设置的栅极、栅绝缘层、第一电极、有源层和第二电极；所述第一电极和所述第二电极均与所述有源层接触；其中，所述有源层中部分与所述栅绝缘层接触，且所述栅绝缘层中与所述有源层接触部分还与所述栅极接触。

优选的，所述栅极包括多个子栅极，所述第一电极包括至少一个第一子电极；所述第一子电极设置在相邻所述子栅极之间。

优选的，所述有源层包括至少一个子有源层；所述子有源层设置在所述第一子电极上，且位于相邻所述子栅极之间。

优选的，所述有源层包括多个所述子有源层，所述子有源层之间相互电连接。

进一步优选的，相邻所述子有源层绕过所述子栅极上方电连接；所述第一电极包括多个所述第一子电极，所述第一子电极绕过所述子栅极上方电连接。

优选的，所述有源层包括非晶硅层和设置在非晶硅层两侧的N型掺杂层，所述N型掺杂层分别与所述第一电极和所述第二电极接触。

第二方面，提供一种阵列基板，包括上述的薄膜晶体管、像素电极和数据线；所述薄膜晶体管的第一电极与像素电极电连接，第二电极与所述数据线电连接；或者，所述第一电极与所述数据线电连接，所述第二电极与所述像素电极电连接。

优选的，沿所述薄膜晶体管的层叠方向，所述数据线与所述薄膜晶体管具有重叠区域。

第三方面，提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底基板上形成栅极；在所述栅极上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成第一电极；在所述第一电极上形成有源层，其中，所述有源层中部分与所述栅绝缘层接触，且所述栅绝缘层中与所述有源层接触部分还与所述栅极接触；在所述有源层上形成第二电极。

优选的，形成栅极，具体包括：利用纳米压印法形成多个子栅极，多个所述子栅极构成栅极；所述第一电极包括至少一个第一子电极，在所述栅绝缘层上形成第一电极，具体包括：在相邻所述子栅极之间形成第一子电极；所述有源层包括至少一个子有源层，在所述第一电极上形成有源层，具体包括：在所述第一子电极上形成所述子有源层。

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，相对于现有技术中第一电极和第二电极同层设置，本发明实施例薄膜晶体管的第一电极、有源层和第二电极层叠设置，由于薄膜晶体管的沟道长度L为第一电极和第二电极之间的距离，因而本发明实施例薄膜晶体管的沟道长度L即为有源层的厚度，而有源层的厚度很容易制作的比较薄，从而沟道长度L易于减小，这样便可以减小薄膜晶体管的面积，提升像素开口率。此外，沟道长度L减小，W/L便会增大，因而薄膜晶体管的开态电流I_on增大，充电率提高。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1(a)为现有技术提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；

图1(b)为现有技术提供的一种薄膜晶体管的俯视结构示意图；