[发明专利]半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法，包括：在晶圆表面形成沟槽；通过淀积向沟槽内填充氧化硅；将氧化硅回刻掉一部分；在沟槽顶部的拐角处形成拐角结构；淀积含氮化合物；干法刻蚀含氮化合物，拐角结构表面形成向沟槽内延伸的含氮化合物侧壁残留；以含氮化合物侧壁残留为掩膜，将氧化硅刻蚀掉一部分；依次重复执行以上三个步骤，直至将沟槽内的氧化硅刻蚀至所需的底部氧化硅厚度；去除沟槽内的含氮化合物；向沟槽内填入多晶硅；在多晶硅上形成隔离氧化硅；反复执行以上两步骤，形成多层多晶硅和隔离氧化硅。本发明采用淀积+分步刻蚀的方式形成沟槽内的氧化硅，减少了氧化时间，提高了生产效率。

主权项

1.一种半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法，包括：步骤A，在晶圆表面形成沟槽；步骤B，通过淀积向所述沟槽内填充氧化硅；步骤C，通过刻蚀去除掉沟槽内的氧化硅表面的一部分；步骤D，通过热氧化在沟槽顶部的拐角处形成氧化硅拐角结构，所述氧化硅拐角结构为从拐角处往下、位于沟槽内部的氧化硅逐渐变厚的结构；步骤E，在晶圆表面淀积含氮化合物，覆盖所述沟槽内的氧化硅表面及所述氧化硅拐角结构表面；步骤F，干法刻蚀所述含氮化合物，将沟槽内的氧化硅表面的含氮化合物去除，所述氧化硅拐角结构表面形成向沟槽内延伸的含氮化合物侧壁残留；步骤G，以所述含氮化合物侧壁残留为掩膜，通过刻蚀去除掉沟槽内的氧化硅表面的一部分；依次重复执行步骤E至步骤G，直至将沟槽内的氧化硅刻蚀至所需的底部氧化硅厚度，每执行一次步骤F所述含氮化合物侧壁残留就进一步向沟槽内延伸，所述沟槽内的氧化硅包括底部氧化硅和侧壁氧化硅，所述侧壁氧化硅的厚度从沟槽顶部至沟槽底部逐渐增厚；步骤H，去除所述沟槽内的含氮化合物；步骤I，向所述沟槽内填入多晶硅；步骤J，在填入的多晶硅上形成隔离氧化硅；依次重复执行步骤I和J，分别形成间隔的第1、第2、…、第n‑1层多晶硅和第1、第2、…、第n‑1层隔离氧化硅，并在第n‑1层隔离氧化硅上形成第n层多晶硅，所述第n层多晶硅连接所述半导体器件的栅极电位，2≤n≤10。