[发明专利]半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法，包括：

步骤A，在晶圆表面形成沟槽；

步骤B，通过淀积向所述沟槽内填充氧化硅；

步骤C，通过刻蚀去除掉沟槽内的氧化硅表面的一部分；

步骤D，通过热氧化在沟槽顶部的拐角处形成氧化硅拐角结构，所述氧化硅拐角结构为从拐角处往下、位于沟槽内部的氧化硅逐渐变厚的结构；

步骤E，在晶圆表面淀积含氮化合物，覆盖所述沟槽内的氧化硅表面及所述氧化硅拐角结构表面；

步骤F，干法刻蚀所述含氮化合物，将沟槽内的氧化硅表面的含氮化合物去除，所述氧化硅拐角结构表面形成向沟槽内延伸的含氮化合物侧壁残留；

步骤G，以所述含氮化合物侧壁残留为掩膜，通过刻蚀去除掉沟槽内的氧化硅表面的一部分；

依次重复执行步骤E至步骤G，直至将沟槽内的氧化硅刻蚀至所需的底部氧化硅厚度，每执行一次步骤F所述含氮化合物侧壁残留就进一步向沟槽内延伸，所述沟槽内的氧化硅包括底部氧化硅和侧壁氧化硅，所述侧壁氧化硅的厚度从沟槽顶部至沟槽底部逐渐增厚；

步骤H，去除所述沟槽内的含氮化合物；

步骤I，向所述沟槽内填入多晶硅；

步骤J，在填入的多晶硅上形成隔离氧化硅；

依次重复执行步骤I和J，分别形成间隔的第1、第2、…、第n-1层多晶硅和第1、第2、…、第n-1层隔离氧化硅，并在第n-1层隔离氧化硅上形成第n层多晶硅，所述第n层多晶硅连接所述半导体器件的栅极电位，2≤n≤10。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法，其特征在于，所述步骤B之前还包括对所述沟槽进行侧壁氧化的步骤。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法，其特征在于，所述步骤I执行的次数与所述步骤G执行的次数相等，所述步骤I形成的各层多晶硅的位置与步骤G每次刻蚀掉的氧化硅位置一一对应。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法，其特征在于，所述步骤E是采用化学气相淀积工艺淀积含氮化合物。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法，其特征在于，所述步骤A是以氮化硅为掩膜刻蚀形成沟槽。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法，其特征在于，所述步骤H是通过浓磷酸湿法去除含氮化合物。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法，其特征在于，所述步骤J是生长高温氧化膜。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法，其特征在于，所述通过热氧化在沟槽顶部的拐角处形成氧化硅拐角结构的步骤中，氧化温度为800～950摄氏度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法，其特征在于，所述含氮化合物是氮化硅。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法，其特征在于，每次执行步骤I填充的多晶硅均溢出所述沟槽，每次执行步骤I之后还包括通过化学机械研磨对溢出的多晶硅进行抛光、并回刻多晶硅的步骤。