[发明专利]相位移光掩模有效
申请号: | 201710508663.8 | 申请日: | 2017-06-28 |
公开(公告)号: | CN107783367B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 林云跃;李信昌 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;王芝艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种相位移光掩模,其包括透光基板、透光基板上的蚀刻停止层、以及蚀刻停止层上的可调的透光材料层。可调的透光材料层图案化以具有开口,其设计以提供相位移并具有大于90%的透光度。 | ||
搜索关键词: | 相位 移光掩模 | ||
【主权项】:
一种相位移光掩模,包括:一透光基板;一蚀刻停止层,位于该透光基板上;以及一可调的透光材料层,位于该蚀刻停止层上,且该可调的透光材料层图案化以具有一开口,其中该蚀刻停止层完全覆盖该开口中的部份该透光基板,且该可调的透光材料层设计为提供相位移。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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