[发明专利]相位移光掩模

说明书

提供一种相位移光掩模，其包括透光基板、透光基板上的蚀刻停止层、以及蚀刻停止层上的可调的透光材料层。可调的透光材料层图案化以具有开口，其设计以提供相位移并具有大于90％的透光度。

技术领域

本发明实施例关于半导体结构的形成方法，更特别关于其采用的相位移光掩模。

背景技术

在半导体技术中，光学干扰与其他效应常造成关键尺寸的变异。如此一来，对次波长图案化中较小的结构(特别是是接点孔)的尺寸而言，光掩模误差参数将过高而无法接受。多种技术已用于改善光掩模误差参数，比如采用相位移光掩模(如无铬的相位移光掩模)定义电路图案。在无铬的相位移光掩模中，电路结构定义于透光光掩模中，且透明光掩模的相邻的透光区之间具有相位移。如此一来，当成像至半导体基板时，破坏性干涉将产生暗结构。然而现有无铬的相位移光掩模对改善成像品质与其他问题的弹性受限，比如相对于预期相位移的蚀刻制程容忍度。此外，现有无铬的相位移光掩模在形成与使用光掩模时，对透光基板的保护有限。如此一来，目前亟需无铬的相位移光掩模结构、其形成方法、与其应用方法以改善上述问题。

发明内容

本发明一实施例提供的相位移光掩模，包括：透光基板；蚀刻停止层，位于透光基板上；以及可调的透光材料层，位于蚀刻停止层上，且可调的透光材料层图案化以具有开口，其中蚀刻停止层完全覆盖开口中的部份透光基板，且可调的透光材料层设计为提供相位移。

附图说明

图1、2、3、与4是一些实施例中，光掩模于多种制程阶段中的剖视图。

图5是一些实施例中，图4的光掩模的上视图。

图6是一些实施例中，光掩模的剖视图。

图7是一些实施例中，图6是的光掩模的上视图。

图8是一些实施例中，光掩模的形成方法的流程图。

图9是一些实施例中，光掩模的剖视图。

图10是一些实施例中，微影系统的示意图。

图11是一些实施例中，采用图10的微影系统的方法其流程图。

图12是一些实施例中，图10的微影系统中采用的光掩模的特性资料。

【符号说明】

B1 第一光束

B2、B2’ 第二光束

DBF1、DBF2 最佳焦距变异

W 尺寸

100、200、900、1020 光掩模

110 透光基板

120 蚀刻停止层

130 透光材料层

130a、140a 开口

130b 岛状物

130c 次解析度结构

130d 光学邻近修正结构

140 光阻层

150、210 第一区

160、220 第二区

800、1100 方法

802、804、806、808、810、1102、1104、1106、1108、1110 步骤

910、920 电路结构

1000 微影系统

1010 射线源