[发明专利]相位移光掩模

权利要求书

1.一种相位移光掩模，包括：

一透光基板；

一蚀刻停止层，位于该透光基板上，其中该蚀刻停止层包含氧化钌、氮化钨、和氮化钛中至少一种，且掺杂有磷、钙、和钠中至少一种；以及

一材料层，位于该蚀刻停止层上，且该材料层图案化以具有一开口，其中该蚀刻停止层完全覆盖该开口中的部份该透光基板，且其中该材料层设计为提供相位移，进一步设计为提供大于90％的透光度，且依据包含该材料层的一衰减系数与一厚度来选择，且其中该相位移光掩模对一微影制程中的一光射线实质上透明。

2.如权利要求1所述的相位移光掩模，其中该材料层图案化以定义一电路结构，在该微影制程中采用该光射线使该电路结构成像于一半导体基板上，且该材料层的该厚度使相位移为实质上180度。

3.如权利要求1所述的相位移光掩模，其中该材料层包含溶胶-凝胶的硅酸盐膜。

4.如权利要求1所述的相位移光掩模，其中该材料层图案化以进一步包含一岛状物，且该岛状物定义一电路设计布局的一电路结构，其中该岛状物进一步包含具有次解析度尺寸的穿孔。

5.如权利要求1所述的相位移光掩模，其中该蚀刻停止层中的氧化钌、氮化钨、和氮化钛中至少一种占80原子％至100原子％之间。

6.如权利要求1所述的相位移光掩模，其中该蚀刻停止层包含氧化钌且掺杂有钙。

7.如权利要求1所述的相位移光掩模，其中该蚀刻停止层包含掺杂硼的氮化钛。

8.如权利要求1所述的相位移光掩模，其中该蚀刻停止层包含掺杂钠的氮化钨。

9.如权利要求1所述的相位移光掩模，其中该材料层包含30原子％至60原子％的硅、30原子％至60原子％的氧、以及低于10原子％的碳，且其中该蚀刻停止层包含掺杂钠的氮化钨。

10.如权利要求1所述的相位移光掩模，其中该蚀刻停止层掺杂有磷、钙、和钠。

11.一种无铬的相位移光掩模，包括：

一透光基板，具有相邻的一第一区与一第二区；

一材料层，包含30原子％至60原子％的硅、30原子％至60原子％的氧、0至10原子％的碳、0至5原子％的氮、0至5原子％的磷、和0至5原子％的硼，具有大于90％的透光度，对一微影制程中一光射线实质上透明，且位于该透光基板上，且图案化以形成一实质上透光结构于该第一区中，以及一开口于该第二区中，其中依据一衰减系数决定该材料层的组成，该衰减系数取决于Beer-Lambert定律，T＝e^-μl，其中T为透光度，l为厚度，且μ为该衰减系数；以及

一蚀刻停止层，夹设于该材料层与该透光基板之间，其中该蚀刻停止层包含氧化钌、氮化钨、和氮化钛中至少一种，且掺杂有磷、钙、和钠中至少一种，调整以提供大于98％的透光度，且该蚀刻停止层完全覆盖该第一区与该第二区，且自该第一区连续地延伸至该第二区。

12.如权利要求11所述的无铬的相位移光掩模，其中该实质上透光结构和该开口的一种定义一电路结构，在该微影制程中采用该光射线使该电路结构成像于一半导体基板上。

13.如权利要求11所述的无铬的相位移光掩模，其中该透光基板包含熔融石英；该材料层包含的材料为下述的一种：掺杂碳的氧化硅、分散有发色团于其中的硅酸盐玻璃、和溶胶-凝胶硅酸盐；以及该蚀刻停止层包含掺杂钙的氧化钌。

14.如权利要求11所述的无铬的相位移光掩模，其中该材料层的厚度设计为提供在该微影制程中，穿透该无铬的相位移光掩模的该第一区的该光射线的一第一光束，与穿透该无铬的相位移光掩模的该第二区的该光射线的一第二光束之间的相位差为180度。