[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201710475469.4 | 申请日： | 2017-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107689396B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 方法包括在半导体区上方形成伪栅极堆叠件，在与伪栅极堆叠件相同的层级处形成介电层，去除伪栅极堆叠件以在介电层中形成开口，填充延伸至开口内的金属层，以及回蚀刻金属层，金属层的剩余部分的边缘低于介电层的顶面。开口填充有导电材料，并且导电材料位于金属层上方。金属层和导电材料组合形成替换栅极。在替换栅极的相对两侧上形成源极区和漏极区。本发明的实施例还涉及晶体管及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成晶体管的方法，包括：在半导体区上方形成伪栅极堆叠件；在与所述伪栅极堆叠件相同的层级处形成介电层；去除所述伪栅极堆叠件以在所述介电层中形成开口；填充延伸至所述开口内的金属层；回蚀刻所述金属层，其中，所述金属层的剩余部分的边缘低于所述介电层的顶面；用导电材料填充所述开口，其中，所述导电材料位于所述金属层上方，其中，所述金属层和所述导电材料组合形成替换栅极；以及形成源极区和漏极区，其中，所述源极区和漏极区位于所述替换栅极的相对两侧上。
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