[发明专利]晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种形成晶体管的方法，包括：

在半导体区上方形成伪栅极堆叠件；

在与所述伪栅极堆叠件相同的层级处形成介电层；

去除所述伪栅极堆叠件以在所述介电层中形成开口；

填充延伸至所述开口内的金属层，所述金属层具有底层和位于底层上方的中间层以及位于中间层上方的顶层；

回蚀刻所述金属层，其中，所述金属层的剩余部分的边缘低于所述介电层的顶面，所述金属层的所述底层、中间层以及顶层经所述回蚀刻后具有倾斜顶表面，所述中间层的顶部边缘具有最高点，所述最高点高于所述底层和所述顶层的顶部边缘；

用导电材料填充所述开口，其中，所述导电材料位于所述金属层上方，其中，所述金属层和所述导电材料组合形成替换栅极；以及

形成源极区和漏极区，其中，所述源极区和漏极区位于所述替换栅极的相对两侧上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述回蚀刻包括：

在所述金属层填充牺牲层，其中，所述牺牲层填充至所述开口内；以及

当回蚀刻所述金属层时同时蚀刻所述牺牲层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，填充所述牺牲层包括施加光刻胶。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，用所述导电材料填充所述开口包括沉积与所述金属层接触的功函层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述金属层所剩余的高度小于所述开口的深度的80％。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属层中的多个层由不同的材料形成。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述导电材料与所述顶层，所述中间层和所述底层中的每一个接触。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述伪栅极堆叠件的相对两侧上形成栅极间隔件。

9.一种形成晶体管的方法，包括：

在半导体区上形成伪栅极堆叠件；

在所述伪栅极堆叠件的侧壁上形成栅极间隔件；

在所述伪栅极堆叠件的相对两侧上形成源极区和漏极区；

形成层间电介质以覆盖所述源极区和漏极区；

去除所述伪栅极堆叠件以形成开口；

形成延伸至所述开口内的栅极介电层；

在所述栅极介电层上方形成含金属层，其中，所述含金属层包括位于所述开口中的第一部分和位于所述开口外部的第二部分；

去除所述第二部分并且回蚀刻所述含金属层的所述第一部分；以及

用导电材料填充剩余的开口，

所述含金属层具有底层和位于底层上方的中间层以及位于中间层上方的顶层，所述底层、中间层以及顶层经所述回蚀刻后具有倾斜顶表面，所述中间层的顶部边缘具有最低点，所述最低点低于于所述底层和所述顶层的顶部边缘。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述导电材料与所述顶层，所述中间层和所述底层中的每一个接触。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，使用原子层沉积实施形成所述含金属层。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，通过蚀刻实施去除所述第二部分。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述含金属层上方形成牺牲层，其中，所述牺牲层填充入所述开口内，并且同时蚀刻所述牺牲层和所述含金属层。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括，在蚀刻所述含金属层之后，去除所述牺牲层的剩余部分。