[发明专利]一种金属衬底LED芯片的制作方法

摘要

本发明公开了一种金属衬底LED芯片的制作方法，使用金属腐蚀液腐蚀金属衬底，形成单颗LED芯片，与传统的激光切割方法相比，本发明制作方法简单，操作容易，节省购买激光切割机的费用，降低成本；此外，使用激光切割方法切割金属衬底，对金属衬底产生热冲击，金属衬底容易出现裂片和弯曲，降低LED芯片的良率，本发明的制作方法避免了此情况的发生，从而提高LED芯片良率。

主权项

1.一种金属衬底LED芯片的制作方法，包括：提供一金属衬底；在所述金属衬底表面形成多个发光结构，所述发光结构包括设于所述金属衬底表面的第一半导体层，设于所述第一半导体层表面的有源层和第一电极，设于所述有源层表面的第二半导体层，设于所述第二半导体层表面的第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘；在所述发光结构表面涂布光刻胶，并去除所述发光结构之间分隔部的光刻胶，得到LED晶圆；将所述LED晶圆固定在粘膜上，所述粘膜固定在可倾斜的移动平台上；在所述移动平台固定有所述LED晶圆一侧设置两组喷头，所述两组喷头包括第一喷头和第二喷头，所述两组喷头与所述LED晶圆之间具有预设距离；所述第一喷头对所述LED晶圆喷射金属腐蚀液，所述第二喷头对所述LED晶圆喷射超纯水，得到单颗LED芯片；所述第一喷头对所述LED芯片喷射去胶液，所述第二喷头对所述LED芯片喷射超纯水，去除所述光刻胶；将所述粘膜和所述LED芯片进行烘干，并对所述LED芯片进行分选。