[发明专利]一种金属衬底LED芯片的制作方法

说明书

本发明公开了一种金属衬底LED芯片的制作方法，使用金属腐蚀液腐蚀金属衬底，形成单颗LED芯片，与传统的激光切割方法相比，本发明制作方法简单，操作容易，节省购买激光切割机的费用，降低成本；此外，使用激光切割方法切割金属衬底，对金属衬底产生热冲击，金属衬底容易出现裂片和弯曲，降低LED芯片的良率，本发明的制作方法避免了此情况的发生，从而提高LED芯片良率。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管技术领域，尤其涉及一种金属衬底LED芯片的制作方法。

背景技术

LED（Light Emitting Diode，发光二极管）是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

近年来，随着对LED芯片研究的不断深入，技术人员利用不同的材料对蓝宝石衬底进行转移替换，由此来提高发光二极管的散热性能。由于金属衬底具有良好的导热性能，现有技术一般利用金、银、铜、镍等金属衬底来进行衬底转移，但是金属本身特性具有延展性，在金属衬底LED芯片进行切割，形成单颗LED芯片时，容易出现裂片和弯曲，降低产品良率，因此制约金属衬底LED芯片的大批量生产。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种金属衬底LED芯片的制作方法，便于操作，良率高，成本低，可大批量生产。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种金属衬底LED芯片的制作方法，包括：

提供一金属衬底；

在所述金属衬底表面形成多个发光结构，所述发光结构包括设于所述金属衬底表面的第一半导体层，设于所述第一半导体层表面的有源层和第一电极，设于所述有源层表面的第二半导体层，设于所述第二半导体层表面的第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘；

在所述发光结构表面涂布光刻胶，并去除所述发光结构之间分隔部的光刻胶，得到LED晶圆；

将所述LED晶圆固定在粘膜上，所述粘膜固定在可倾斜的移动平台上；

在所述移动平台固定有所述LED晶圆一侧设置两组喷头，所述两组喷头包括第一喷头和第二喷头，所述两组喷头与所述LED晶圆之间具有预设距离；

所述第一喷头对所述LED晶圆喷射金属腐蚀液，所述第二喷头对所述LED晶圆喷射超纯水，得到单颗LED芯片；

所述第一喷头对所述LED芯片喷射去胶液，所述第二喷头对所述LED芯片喷射超纯水，去除所述光刻胶；

将所述粘膜和所述LED芯片进行烘干，并对所述LED芯片进行分选。

优选的，所述发光结构的形成过程为：

在所述金属衬底任意表面形成所述第一半导体层；

在所述第一半导体层表面形成所述有源层；

在所述有源层表面形成所述第二半导体层；

采用刻蚀工艺将所述第一半导体层表面的预设区域裸露；

在所述第一半导体层表面的预设区域形成所述第一电极，且在所述第二半导体层表面形成所述第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘。

优选的，所述移动平台向下倾斜角度为20-80度。

优选的，所述两组喷头与所述移动平台之间垂直设置。

优选的，所述碰头的喷射方向可以调节。

优选的，所述两组喷头之间的距离，所述喷头与所述移动平台之间的距离可以调节。

优选的，所述金属衬底的材料为金、银、铜、镍、钼、钨中的一种或以上几种金属。